Adsorbat-modifiziertes Wachstum ultradünner Seltenerdoxid ... - E-LIB

4.2 Charakterisierung ultradünner Ceroxid-Filme
Normalized Intensity (arb. units)
Normalized Intensity (arb. units)
Normalized Intensity (arb. units)
0.9
0.7
0.5
0.3
0.1
0.9
0.7
0.5
0.3
0.1
0.9
0.7
0.5
0.3
0.1
Si1s
Fit
Backgr.
Si 0
Si 1+
SiO x
Si1s 5 4 3 2 1 0 −1 −2 Si1s
Relative Binding Energy (eV)
Fit
(5) Fit
(5-Cl)
0.9
Backgr.
Backgr.
Si 0
Si 0
Si 1+
0.7
Si 1+
SiO SiO x x
0.5
5 4 3 2 1 0 −1
Si1s
Relative Binding Energy (eV)
Fit
Backgr.
Si 0
Si 1+
SiO x
5
(1)
4 3 2 1 0 −1
Relative Binding Energy (eV)
Normalized Intensity (arb. units)
−2
Normalized Intensity (arb. units)
(5-Ga)
−2
0.3
0.1
0.9
0.7
0.5
0.3
0.1
5 4 3 2 1 0 −1
Si1s
Relative Binding Energy (eV)
Fit
Backgr.
Si 0
Si 1+
SiO x
5
4 3 2 1 0 −1
Relative Binding Energy (eV)
−2
(5-Ag)
−2
Abb. 4.16 Si1s-XPS-Spektren von Ce 2 O 3 -Filmen mit einer Schichtdicke von 2 Å
(1) und 6 Å (5)–(5-Ag) gewachsen bei 500 ℃ Substrattemperatur und
p O2 = 1×10 −7 mbar (1) und p O2 = 5×10 −7 mbar (5)–(5-Ag) Sauerstoffhintergrunddruck
auf nicht passiviertem, Chlor-passiviertem, Galliumpassiviertem
und Silber-passiviertem Si(111) (Präparationsbedingungen
(1), (5), (5-Cl), (5-Ga), (5-Ag)). Die verwendete Photonenenergie betrug
für (5)–(5-Ga) 3,35 keV und für (1) und (5-Ag) 2,6 keV. Die senkrechten
durchgezogenen Linien veranschaulichen die energetische Position
der SiO x -Spezies. Die gestrichelten Linien markieren die energetische
Position des Si 3+ - und Si 4+ -Oxidationszustandes.
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