Adsorbat-modifiziertes Wachstum ultradünner Seltenerdoxid ... - E-LIB

4 Strukturelle und chemische Zusammensetzung von Seltenerdoxid-Filmen
auf Si(111)
Normalized Intensity (arb. units)
Ce3d photoemission spectra (5)
(5−Cl)
(5−Ga)
(5−Ag)
fit
v‘, u‘
v 0
, u 0
EL‘
EL 0
30 20 10 0
Relative Binding Energy (eV)
−10
Abb. 4.14 Ce3d-XPS-Spektren von ultradünnen Ceroxid-Filmen mit einer Schichtdicke
von 6 Å gewachsen bei 500 ℃ Substrattemperatur und einem Sauerstoffhintergrunddruck
von p O2 = 5 × 10 −7 auf nicht passiviertem, Chlorpassiviertem,
Gallium-passiviertem und Silber-passiviertem Si(111) (Präparationsbedingungen
(5), (5-Cl), (5-Ga) und (5-Ag))
Präparationsbedingungen Kohärente Fraktion f c Kohärente Position Φ c
(5) 0,72 1,06
(5-Cl) 0,84 1,05
(5-Ga) 0,72 1,06
(5-Ag) 0,35 1,07
Tabelle 4.1 Kohärente Fraktionen und kohärente Positionen aus Abb. 4.15 für ultradünne
Ce 2 O 3 -Filme mit einer Schichtdicke von 6 Å deponiert bei einer
Substrattemperatur von 500 ℃ und einem Suaerstoffhintergrunddruck
von p O2 = 5 × 10 −7 mbar auf nicht passiviertem, Cl-passiviertem, Gapasiviertem
und Si-passiviertem Si(111) (Präparationsbedingungen (5),
(5-Cl), (5-Ga) und (5-Ag))
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