Adsorbat-modifiziertes Wachstum ultradünner Seltenerdoxid ... - E-LIB
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4.2 Charakterisierung <strong>ultradünner</strong> Ceroxid-Filme<br />
Normalized Intensity (arb. units)<br />
1.0<br />
0.9<br />
0.8<br />
0.7<br />
0.6<br />
5<br />
Data<br />
Fit<br />
Backgr.<br />
SiOx<br />
Si−O−Ce<br />
CeOx<br />
4 3 2 1 0 −1 −2<br />
Relative Binding Energy (eV)<br />
(a)<br />
−3<br />
Normalized Intensity (arb. units)<br />
1.0<br />
0.9<br />
0.8<br />
0.7<br />
0.6<br />
0.5<br />
0.4<br />
5<br />
Data<br />
Fit<br />
Backgr.<br />
SiOx<br />
Si−O−Ce<br />
CeOx<br />
4 3 2 1 0 −1 −2<br />
Relative Binding Energy (eV)<br />
(b)<br />
−3<br />
Abb. 4.7 O1s-XPS-Spektren nach dem <strong>Wachstum</strong> von 2 Å Ceroxid bei einer Substrattemperatur<br />
von 500 ℃ und einem Sauerstoffhintergrunddruck von<br />
p O2 = 1 × 10 −7 mbar auf (a) nicht passiviertem Si(111)-(7 × 7) (1) und<br />
(b) Chlor-passiviertem Cl/Si(111)-(1 × 1) (1-Cl) aufgenommen mit einer<br />
Passenergie von (a) 30 eV und (b) 50 eV bei einer Photonenenergie von<br />
hν = 2,6 keV (aus [62])<br />
Normalized Intensity (arb. units)<br />
1.0<br />
0.8<br />
0.6<br />
0.4<br />
0.2<br />
5<br />
Data<br />
Fit<br />
Backgr.<br />
SiOx<br />
Si−O−Ce<br />
CeOx<br />
4 3 2 1 0 −1 −2<br />
Relative Binding Energy (eV)<br />
(a)<br />
−3<br />
Normalized Intensity (arb. units)<br />
1.0<br />
0.9<br />
0.8<br />
0.7<br />
0.6<br />
0.5<br />
5<br />
Data<br />
Fit<br />
Backgr.<br />
SiOx<br />
Si−O−Ce<br />
CeOx<br />
4 3 2 1 0 −1 −2<br />
Relative Binding Energy (eV)<br />
(b)<br />
−3<br />
Abb. 4.8 O1s-XPS-Spektren nach dem <strong>Wachstum</strong> von 2,5 nm Ceroxid auf Chlorpassiviertem<br />
Cl/Si(111)-(1 × 1) bei einer Substrattemperatur von 500 ℃<br />
und einem Sauerstoffhintergrunddruck von (a) p O2 = 1×10 −7 mbar (1-Cl)<br />
und (b) p O2 = 5 × 10 −10 mbar (5-Cl) aufgenommen mit einer Passenergie<br />
von (a) 50 eV und (b) 30 eV bei einer Photonenenergie von hν = 2,4 keV<br />
(aus [62])<br />
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