Adsorbat-modifiziertes Wachstum ultradünner Seltenerdoxid ... - E-LIB

4.2 Charakterisierung ultradünner Ceroxid-Filme
Normalized Intensity (arb. units)
1.0
0.9
0.8
0.7
0.6
5
Data
Fit
Backgr.
SiOx
Si−O−Ce
CeOx
4 3 2 1 0 −1 −2
Relative Binding Energy (eV)
(a)
−3
Normalized Intensity (arb. units)
1.0
0.9
0.8
0.7
0.6
0.5
0.4
5
Data
Fit
Backgr.
SiOx
Si−O−Ce
CeOx
4 3 2 1 0 −1 −2
Relative Binding Energy (eV)
(b)
−3
Abb. 4.7 O1s-XPS-Spektren nach dem Wachstum von 2 Å Ceroxid bei einer Substrattemperatur
von 500 ℃ und einem Sauerstoffhintergrunddruck von
p O2 = 1 × 10 −7 mbar auf (a) nicht passiviertem Si(111)-(7 × 7) (1) und
(b) Chlor-passiviertem Cl/Si(111)-(1 × 1) (1-Cl) aufgenommen mit einer
Passenergie von (a) 30 eV und (b) 50 eV bei einer Photonenenergie von
hν = 2,6 keV (aus [62])
Normalized Intensity (arb. units)
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
5
Data
Fit
Backgr.
SiOx
Si−O−Ce
CeOx
4 3 2 1 0 −1 −2
Relative Binding Energy (eV)
(a)
−3
Normalized Intensity (arb. units)
1.0
0.9
0.8
0.7
0.6
0.5
5
Data
Fit
Backgr.
SiOx
Si−O−Ce
CeOx
4 3 2 1 0 −1 −2
Relative Binding Energy (eV)
(b)
−3
Abb. 4.8 O1s-XPS-Spektren nach dem Wachstum von 2,5 nm Ceroxid auf Chlorpassiviertem
Cl/Si(111)-(1 × 1) bei einer Substrattemperatur von 500 ℃
und einem Sauerstoffhintergrunddruck von (a) p O2 = 1×10 −7 mbar (1-Cl)
und (b) p O2 = 5 × 10 −10 mbar (5-Cl) aufgenommen mit einer Passenergie
von (a) 50 eV und (b) 30 eV bei einer Photonenenergie von hν = 2,4 keV
(aus [62])
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