Adsorbat-modifiziertes Wachstum ultradünner Seltenerdoxid ... - E-LIB

4 Strukturelle und chemische Zusammensetzung von Seltenerdoxid-Filmen
auf Si(111)
(a)
(b)
Abb. 4.3 (a) Phasendiagramm von Silber auf Si(111), welches die Oberflächenrekonstruktionen
in Abhängigkeit der Silber-Bedeckung und der beim Wachstum
bzw. während des Heizens verwendeten Substrattemperatur zeigt. Die
vollen Kreise markieren die Wachstumstemperatur für jede Heizserie, deren
zugehörige Temperaturen durch offene Kreise wiedergegeben sind. (b)
Honeycomb-chain-trimer (HCT) Modell der Ag/Si(111)-( √ 3 × √ 3)R30°-
Rekonstruktion in der Aufsicht und in einer perspektivischen Ansicht.
(aus [132])
fläche ausbilden [133]. Das der ( √ 3 × √ 3)R30°-Rekonstruktion zugrunde liegende
Strukturmodell, welches in Abb. 4.3 (b) in der Aufsicht und in einer perspektivischen
Seitenansicht gezeigt ist, wird als honeycomb-chain-trimer (HCT) Modell bezeichnet
[134, 135]. Die HCT-Struktur entsteht, indem aus der äußersten Siliziumbilage
einer volumenterminierten Si(111)-Oberfläche die obere Siliziumlage entfernt wird,
sich aus den restlichen Siliziumatomen der Bilage Trimere ausbilden und eine Monolage
Silber-Atome auf Positionen hinzufügt wird, die leicht von einem gleichmäßigen
triangularen Gitter abweichen [132].
Über einer Temperatur von 550 ℃ kommt es zur Umwandlung in die (3 × 1)-Phase
unter anfänglicher Desorption von Silber. Ab einer Temperatur von 650 ℃ kann
dann eine (5 × 2)-Rekonstruktion beobachtet werden und eine weitere Erhöhung der
Temperatur auf über 700 ℃ führt schließlich zu einer vollständigen Desorption von
Silber [132].
4.1.2.3 Ga/Si(111)-( √ 3 × √ 3)R30 ° und Ga/Si(111)-(6,3 × 6,3)
Für die Adsorption von Gallium auf Si(111) sind zwei unterschiedliche Rekonstruktionen
bekannt. Es handelt sich dabei um eine kommensurable Ga/Si(111)-( √ 3 ×
√
3)R30°- und eine inkommensurable Ga/Si(111)-(6,3×6,3)-Rekonstruktion, die sich
abhängig von der Wachstumstemperatur und der Bedeckung ausbilden [136–138].
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