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Adsorbat-modifiziertes Wachstum ultradünner Seltenerdoxid ... - E-LIB

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3.1 Strahlführung BW1<br />

Die Präparationskammer der UHV-Kammer mit einem Basisdruck von p ≈ 1 ×<br />

10 −10 mbar wird zur In-situ-Probenpräparation verwendet. Es stehen zahlreiche Verdampfer-Ports<br />

zur Verfügung und die Proben können geheizt und ausgegast werden.<br />

Abb. 3.2 zeigt eine Aufsicht der Präparationskammer. Durch den oberen Viewport<br />

der Präparationskammer sind die an der Unterseite der Kammer befindlichen<br />

Verdampfer-Ports sichtbar, die mit zwei Seltenerd-Verdampfern, zwei Chlor-Quellen<br />

und drei weiteren Verdampfern bestückt sind. Über ein Leckventil können definierte<br />

Sauerstoffhintergrunddrücke, die zum <strong>Wachstum</strong> von <strong>Seltenerdoxid</strong>en benötigt werden,<br />

in der Kammer realisiert werden. Um die Proben von der Präparationskammer<br />

in die Analysekammer zu transferieren, sind diese durch eine Übergabekammer miteinander<br />

verbunden und die einzelnen Abschnitte können durch Ventile voneinander<br />

getrennt und separat gepumpt werden. Die Übergabekammer weist ebenfalls einen<br />

Basisdruck von p ≈ 1 × 10 −10 mbar auf und stellt zur Oberflächencharakterisierung<br />

ein Instrument für die niederenergetische Elektronenbeugung (LEED) zur Verfügung.<br />

3.1.2 Probenpräparation am BW1<br />

Für die XSW- und XPS-Experimente am BW1 wurden Si(111)-Einkristalle verwendet,<br />

die in der Kristallwerkstatt am HASYLAB/DESY angefertigt wurden. Abb. 3.3<br />

zeigt eine schematische Darstellung der Einkristalle. Bei einer nicht dispersiven<br />

XSW-Messung hängt der zu erzielende Phasenkontrast hauptsächlich von der Güte<br />

der Reflektivitätskurve der Probe ab. Bei kommerziell verfügbaren Si(111)-Wafern<br />

wird die thermische Oxidschicht durch das schnelle und kurze Heizen auf ca. 1200 ℃<br />

entfernt. Dieses kann jedoch zu starken Verspannungen innerhalb des Wafers führen,<br />

die einen erheblichen Einfluss auf die Breite der Reflektivitätskurve und damit auf<br />

den Phasenkontrast der XSW-Messung haben. Deshalb werden Si(111)-Einkristalle<br />

Kontaktierungen<br />

Abb. 3.2<br />

Foto der Aufsicht der Präparationskammer.<br />

Durch den oberen Viewport<br />

sind die an der Unterseite der<br />

Kammer befindlichen Verdampfer-<br />

Ports sichtbar. (nach [62])<br />

Seltenerd-Verdampfer<br />

Chlor-Quellen<br />

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