Adsorbat-modifiziertes Wachstum ultradünner Seltenerdoxid ... - E-LIB

2 Grundlagen und Messmethoden
K
K II
Schichtdickenoszillation
Bragg-Reflex des Substrates
a /2π
II
Bragg-Reflex
des epitaktischen Films
a /2π
Stange
des epitaktischen Films
(000)
Abb. 2.11 Schematische Darstellung einer reziproken Gitterkarte und der zu erwartenden
Intensitätsverläufe nach der kinematischen Näherung der Röntgenbeugung
für einen epitaktischen dünnen Film auf einem einkristallinen
Substrat wie z. B. Silizium. Die vertikalen und lateralen Gitterkonstanten
a ⊥ bzw. a ‖ von Substrat und Film unterscheiden sich dabei.
Films ist in lateraler Richtung aufgeweitet, da epitaktische Filme meist aus einkristallinen
Domänen endlicher Ausdehnung bestehen und somit auch die Periodizität
in lateraler Richtung begrenzt ist.
In Abb. 2.12 sind die nach der kinematischen Näherung zu erwartenden Reflex-
Positionen anhand der schematischen Darstellung einer reziproken Gitterkarte in
lateraler Richtung gezeigt. Dies entspricht auch qualitativ dem zu erwartenden Beugungsbild
bei der niederenergetischen Elektronenbeugung (LEED), wenn man trotz
der sehr viel stärkeren Wechselwirkung der Elektronen mit Materie von der kinematischen
Näherung ausgeht und der epitaktische Film dementsprechend dünn ist
oder nicht geschlossen ist.
Für eine theoretische Modellierung des Verlaufes der gebeugten Intensität bei einem
Röntgenbeugungs-Experiment nach der kinematischen Näherung werden zusätzlich
noch die Rauigkeiten der Oberfläche und der Grenzfläche zwischen Substrat und
Film, die zu einer Dämpfung der Intensität aufgrund von diffuser Streuung führen,
und der Debye-Waller-Faktor berücksichtigt, der die Abnahme der Intensität der
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