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Adsorbat-modifiziertes Wachstum ultradünner Seltenerdoxid ... - E-LIB

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4 Strukturelle und chemische Zusammensetzung von <strong>Seltenerdoxid</strong>-Filmen<br />

auf Si(111)<br />

MOSFET-Struktur entfernt werden. Andererseits kann sich ein interfactant, welches<br />

zusätzlich Ladungsträger an der Grenzfläche für den Inversionskanal bereitstellt, positiv<br />

auf die Leistungsfähigkeit eines MOSFETs auswirken.<br />

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