Adsorbat-modifiziertes Wachstum ultradünner Seltenerdoxid ... - E-LIB
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4.5 Charakterisierung von <strong>Seltenerdoxid</strong>-Filmen mit Schichtdicken im Bereich<br />
einiger Nanometer mit Hilfe von XRD und GIXRD<br />
(−10l)-CTR um Lanthanoxid-Reflexe in der kubischen Phase handelt. Da Lanthanoxid<br />
lediglich im La 3+ -Oxidationszustand vorkommt, kann daraus sofort gefolgert<br />
werden, dass es sich um die Bixbyit-Phase handelt. Das Auftreten der hexagonalen<br />
Phase kann erneut ausgeschlossen werden, da an den Positionen l = 0,5, l = 1,0 und<br />
l = 1,5 keine Intensität in der reziproken Gitterkarte auftritt. Die elliptische Form<br />
der Lanthanoxid-Bragg-Reflexe kann erneut auf Tilt-Mosaike zurückgeführt werden,<br />
die bei einer analogen Auswertung zum Ceroxid eine mittlere Fehlorientierung von<br />
θ = (2,0±0,2) ° aufweisen. Im Rahmen des Fehlers stimmt diese Fehlorientierung mit<br />
der für das (5-Cl)-Ceroxid-<strong>Wachstum</strong> überein. Die vertikale Gitterkonstante wurde<br />
anhand des (01 4 /3) S -Reflexes bestimmt und ergibt einen Wert von 3,32 ± 0,02 Å.<br />
Für die Untersuchung der lateralen strukturellen Eigenschaften des Lanthanoxid-<br />
Films wurde in Abb. 4.54 eine reziproke Gitterkarte in der Nähe des (−10 1 /3) S -<br />
Reflexes in lateraler Richtung bei konstantem l-Wert aufgenommen. Die elliptische<br />
Form des Lanthanoxid-Bragg-Reflexes deutet auf das Vorhandensein von Twist-<br />
Mosaiken hin. Dies sind also Kleinwinkelmosaike, die gegenüber der Oberflächennormalen<br />
verdreht und nicht verkippt sind. Eine Anpassung des Reflexes mit Hilfe eines<br />
Gauß-Profiles senkrecht zur h-Richtung liefert eine mittlere Fehlorientierung anhand<br />
der Halbwertsbreite von (θ = 2,3 ± 0,2) °. Für die Bestimmung der lateralen Gitterkonstante<br />
wurde ein Schnitt durch die reziproke Gitterkarte entlang der h-Richtung<br />
(-0.955 0 0.315)<br />
-0.2<br />
(12 – 1)<br />
-0.1<br />
Abb. 4.54<br />
Reziproke Gitterkarte in lateraler Richtung<br />
bei konstantem l-Wert in der Nähe<br />
des (−10 1 /3) S -Reflexes aufgenommen<br />
nach dem <strong>Wachstum</strong> von 8 nm<br />
Lanthanoxid auf Chlor-passiviertem<br />
Cl/Si(111)-(1 × 1) bei einer Substrattemperatur<br />
von 500 ℃ und einem Sauerstoffhintergrunddruck<br />
von p O2 = 5 ×<br />
10 −7 mbar (5-Cl)<br />
k (r. l. u.)<br />
0.0<br />
0.1<br />
-0.2 0 0.2<br />
Q<br />
II<br />
( Å -1<br />
)<br />
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