Adsorbat-modifiziertes Wachstum ultradünner Seltenerdoxid ... - E-LIB

4 Strukturelle und chemische Zusammensetzung von Seltenerdoxid-Filmen
auf Si(111)
(01)
Si(131)
fluorite (B)
1.6
1.4
Normalized Intensity (arb. units)
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
O1s
Fit
Backgr.
CeO 2
Ce 2
O 3
Si−O−Ce
SiOx
D
l (r. l. u.)
1.2
1.0
0.8
(5-Cl)
Normalized Intensity (arb. units)
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
6
5 4 3 2 1 0 −1
Relative Binding Energy (eV)
Ce3d
u```
u``
u
v```
v``
v
−2
-0.1 0 0.1
Q
II
( Å -1
)
40
30 20 10 0
Relative Binding Energy (eV)
Abb. 4.51 Reziproke Gitterkarte des (01l)-CTRs sowie O1s- und Ce3d-XPS-
Spektren aufgenommen nach dem Wachstum von Ceroxid auf Chlorpassiviertem
Cl/Si(111)-(1 × 1) bei einer Substrattemperatur von 500 ℃
und einem Sauerstoffhintergrunddruck von p O2 = 5 × 10 −7 mbar (5-
Cl). Am Rand der reziproken Gitterkarte ist die dem Reflex zugehörige
Kristallstruktur und Orientierung des Ceroxid-Films angegeben. Der
Silizium-Bragg-Reflex ist zusätzlich in Volumenkoordinaten notiert. Die
XPS-Spektren wurden von A. Allahgholi an der Strahlführung BW2 am
Hasylab am Desy bei einer Photonenenergie von 3,0 keV aufgenommen,
nachdem die Probe ambienten Bedingungen ausgesetzt war. Der zusätzliche
Peak D im O1s-Spektrum berücksichtigt Kontaminationen aufgrund
der Exposition des Ceroxid-Films an ambienten Bedingungen.
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