25.12.2013 Aufrufe

Adsorbat-modifiziertes Wachstum ultradünner Seltenerdoxid ... - E-LIB

Adsorbat-modifiziertes Wachstum ultradünner Seltenerdoxid ... - E-LIB

Adsorbat-modifiziertes Wachstum ultradünner Seltenerdoxid ... - E-LIB

MEHR ANZEIGEN
WENIGER ANZEIGEN

Erfolgreiche ePaper selbst erstellen

Machen Sie aus Ihren PDF Publikationen ein blätterbares Flipbook mit unserer einzigartigen Google optimierten e-Paper Software.

4.5 Charakterisierung von <strong>Seltenerdoxid</strong>-Filmen mit Schichtdicken im Bereich<br />

einiger Nanometer mit Hilfe von XRD und GIXRD<br />

Präparation Reflex laterale Gitterkonstante a ‖ Verspannung (Si)<br />

(1-Cl) (01 1 /3) S 3,866 Å 0,67 %<br />

(5-Cl) (01 1 /3) S 3,865 Å 0,63 %<br />

Tabelle 4.10 Laterale Gitterkonstanten von Ceroxid bestimmt anhand des (01 1 /3) S -<br />

Reflexes aus Abb. 4.50 für Präparationsbedingungen (1-Cl) und (5-<br />

Cl). Zusätzlich ist die laterale Verspannung der Ceroxid-Filme gegenüber<br />

Silizium angegeben.<br />

unter Berücksichtigung des Fehlers im Mittel um (0,7 ± 0,2) % größer als die laterale<br />

Gitterkonstante von Silizium (vgl. Tab. 4.8). Daraus kann zunächst gefolgert werden,<br />

dass der Sauerstoffhintergrunddruck für das Chlor-passivierte <strong>Wachstum</strong> keinen<br />

Einfluss auf die laterale Gitterkonstante in dem untersuchten Bereich ausübt. Dies<br />

resultiert sicherlich aus der epitaktischen Grenzfläche, die für das Chlor-passivierte<br />

<strong>Wachstum</strong> minimale Anteile von Silikat- und Siliziumoxid-Spezies aufweist. Somit<br />

wird die laterale Gitterkonstante des Ceroxids durch die laterale Beziehung zum<br />

Siliziumsubstrat bestimmt. Auffällig ist, dass die laterale Beziehung zum Substrat<br />

durch die Bildung einer amorphen Grenzfläche nicht verloren geht, wie die spekulare<br />

Beugung an dem (1)-Ceroxid-Film (Abb. 4.43) nahelegt. Die vertikale Gitterkonstante<br />

stimmte im Rahmen des Fehlers mit dem (1-Cl)-Ceroxid-Film (Abb. 4.44)<br />

überein, weshalb davon auszugehen ist, dass die laterale Gitterkonstante ebenfalls<br />

übereinstimmt. Dies legt insgesamt den Schluss nahe, dass die laterale Gitterkonstante<br />

des Ceroxid-Films bei einem nicht passivierten <strong>Wachstum</strong> und damit bei einer<br />

Reifung der Grenzfläche erhalten bleibt und es nicht zu einer lateralen Relaxation<br />

des Films während des Grenzflächen-Reifungsprozesses kommt.<br />

Abb. 4.51 zeigt den (01l)-CTR und zugehörige XPS-Spektren des O1s- und Ce3d-<br />

Niveaus von voll oxidiertem Ceroxid mit einer Schichtdicke von 18 nm, welches unter<br />

Präparationsbedingungen (5-Cl) gewachsen wurde und an ambienten Bedingungen<br />

nachoxidiert ist. Die O1s- und Ce3d-XPS-Spektren, welche von A. Allahgholi<br />

an der Strahlführung BW2 am Hasylab am Desy bei einer Photonenenergie von<br />

3,0 keV aufgenommen wurden, belegen, dass der Ceroxid-Film einen Oxidationszustand<br />

von Ce 4+ (CeO 2 ) aufweist, da im O1s-XPS-Spektrum die CeO 2 -Spezies die<br />

absolut dominierende Komponente ist und das Ce3d-Spektrum lediglich die zum<br />

Ce 4+ -Oxidationszustand gehörenden Peaks zeigt. Der (01l)-CTR zeigt erneut die<br />

gleichen Charakteristika wie die (01l)-CTRs aus Abb. 4.49. Aus der elliptischen<br />

Form und der genauen Lage des Ceroxid-Bragg-Reflexes in der Nähe von l = 4 /3<br />

kann eine mittlere Fehlorientierung von (1,3 ± 0,2) ° für die Tilt-Mosaike und eine<br />

vertikale Gitterkonstante von (3,09 ± 0,01) Å für CeO 2 bestimmt werden.<br />

Berechnet man mit Hilfe der experimentell bestimmten Verspannung von 0,7 % anhand<br />

der Elastizitätstheorie [103] und den elastischen Konstanten für voll oxidiertes<br />

CeO 2 [104] die vertikale Gitterkonstante, so erhält man eine vertikale Gitterkon-<br />

133

Hurra! Ihre Datei wurde hochgeladen und ist bereit für die Veröffentlichung.

Erfolgreich gespeichert!

Leider ist etwas schief gelaufen!