Adsorbat-modifiziertes Wachstum ultradünner Seltenerdoxid ... - E-LIB

4 Strukturelle und chemische Zusammensetzung von Seltenerdoxid-Filmen
auf Si(111)
Nachoxidation zu einer Unterdrückung der amorphen Grenzflächenschicht, die lediglich
in der Größenordnung von einer Trilage liegt, führt.
4.5.2.3 Auswirkungen des Verhältnisses von Cer-Fluss zu
Sauerstoffhintergrunddruck
Um die Auswirkungen des Verhältnisses von Cer-Fluss zu Sauerstoffhintergrunddruck
während des Wachstums von Ceroxid auf die kristalline Qualität der Ceroxid-
Filme zu bestimmen, wurden Ceroxid-Filme der Präparationsbedingungen (1), (1-
Cl), (5) und (5-Cl) bei einer um etwa verdopppelten Wachstumszeit von 90 min
und entsprechendem reduzierten Cer-Fluss gewachsen und anschließend mit Hilfe
von XRD untersucht. Die Wachstumsrate der bis jetzt diskutierten Ceroxid-Filme
lag bei 0,8 Å /min bis 2,2 Å /min, während die Wachstumsrate der im Folgenden analysierten
Ceroxid-Filme deutlich reduziert ist und im Bereich von (0,5 ± 0,2) Å /min
liegt. Eine genauere Wachstumsrate kann nicht angegeben werden, da keine XRR-
Ergebnisse zu den untersuchten Ceroxid-Filmen vorliegen. Vor dem Ausschleusen
aus dem UHV wurden die Ceroxid-Filme nicht durch eine Schutzschicht vor einer
Nachoxidation geschützt.
Abb. 4.47 zeigt hierzu den (00l)-CTR in der Nähe von l = 1 für die Präparationsbedingungen
(1) und (1-Cl) bei reduzierter Wachstumsrate. Ein Vergleich mit den
(1)
(1−Cl)
Intensity (arb. units)
Intensity (arb. units)
0.8 1.0 1.2
l (r. l. u.)
0.8 1.0 1.2
l (r. l. u.)
Abb. 4.47 (00l)-CTR Daten nach dem Wachstum von Ceroxid mit einer verringerten
Wachstumsrate auf nicht passiviertem Si(111)-(7 × 7) (1) und Chlorpassiviertem
Cl/Si(111)-(1×1) (1-Cl) bei einer Substrattemperatur von
500 ℃ und einem Sauerstoffhintergrunddruck von p O2 = 1 × 10 −7 mbar
126