Adsorbat-modifiziertes Wachstum ultradünner Seltenerdoxid ... - E-LIB
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4 Strukturelle und chemische Zusammensetzung von <strong>Seltenerdoxid</strong>-Filmen<br />
auf Si(111)<br />
Nachoxidation zu einer Unterdrückung der amorphen Grenzflächenschicht, die lediglich<br />
in der Größenordnung von einer Trilage liegt, führt.<br />
4.5.2.3 Auswirkungen des Verhältnisses von Cer-Fluss zu<br />
Sauerstoffhintergrunddruck<br />
Um die Auswirkungen des Verhältnisses von Cer-Fluss zu Sauerstoffhintergrunddruck<br />
während des <strong>Wachstum</strong>s von Ceroxid auf die kristalline Qualität der Ceroxid-<br />
Filme zu bestimmen, wurden Ceroxid-Filme der Präparationsbedingungen (1), (1-<br />
Cl), (5) und (5-Cl) bei einer um etwa verdopppelten <strong>Wachstum</strong>szeit von 90 min<br />
und entsprechendem reduzierten Cer-Fluss gewachsen und anschließend mit Hilfe<br />
von XRD untersucht. Die <strong>Wachstum</strong>srate der bis jetzt diskutierten Ceroxid-Filme<br />
lag bei 0,8 Å /min bis 2,2 Å /min, während die <strong>Wachstum</strong>srate der im Folgenden analysierten<br />
Ceroxid-Filme deutlich reduziert ist und im Bereich von (0,5 ± 0,2) Å /min<br />
liegt. Eine genauere <strong>Wachstum</strong>srate kann nicht angegeben werden, da keine XRR-<br />
Ergebnisse zu den untersuchten Ceroxid-Filmen vorliegen. Vor dem Ausschleusen<br />
aus dem UHV wurden die Ceroxid-Filme nicht durch eine Schutzschicht vor einer<br />
Nachoxidation geschützt.<br />
Abb. 4.47 zeigt hierzu den (00l)-CTR in der Nähe von l = 1 für die Präparationsbedingungen<br />
(1) und (1-Cl) bei reduzierter <strong>Wachstum</strong>srate. Ein Vergleich mit den<br />
(1)<br />
(1−Cl)<br />
Intensity (arb. units)<br />
Intensity (arb. units)<br />
0.8 1.0 1.2<br />
l (r. l. u.)<br />
0.8 1.0 1.2<br />
l (r. l. u.)<br />
Abb. 4.47 (00l)-CTR Daten nach dem <strong>Wachstum</strong> von Ceroxid mit einer verringerten<br />
<strong>Wachstum</strong>srate auf nicht passiviertem Si(111)-(7 × 7) (1) und Chlorpassiviertem<br />
Cl/Si(111)-(1×1) (1-Cl) bei einer Substrattemperatur von<br />
500 ℃ und einem Sauerstoffhintergrunddruck von p O2 = 1 × 10 −7 mbar<br />
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