Adsorbat-modifiziertes Wachstum ultradünner Seltenerdoxid ... - E-LIB
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4.5 Charakterisierung von <strong>Seltenerdoxid</strong>-Filmen mit Schichtdicken im Bereich<br />
einiger Nanometer mit Hilfe von XRD und GIXRD<br />
(5)<br />
(5−Cl)<br />
calculation<br />
Intensity (arb. units)<br />
Intensity (arb. units)<br />
0.8 1.0 1.2<br />
l (r. l. u.)<br />
0.8 1.0 1.2<br />
l (r. l. u.)<br />
Abb. 4.46 (00l)-CTR Daten (offene Symbole) und theoretische Anpassung (durchgezogene<br />
Linie) nach dem <strong>Wachstum</strong> von 3,8 nm Ceroxid bei einer <strong>Wachstum</strong>srate<br />
von 0,8 Å /min auf nicht passiviertem Si(111)-(7 × 7) (5) und<br />
Chlor-passiviertem Cl/Si(111)-(1 × 1) (5-Cl) bei einer Substrattemperatur<br />
von 500 ℃ und einem Sauerstoffhintergrunddruck von p O2 =<br />
5 × 10 −7 mbar<br />
mer Unterschied zwischen den beiden Präparationsbedingungen zu erkennen. Während<br />
der (00l)-CTR für Präparationsbedingung (5-Cl) stark ausgeprägte Schichtdickenoszillationen<br />
zeigt, bleiben diese Intensitätsoszillationen für das nicht passivierte<br />
<strong>Wachstum</strong> (5) komplett aus und es ist lediglich ein Ceroxid-Bragg-Reflex als Schulter<br />
bei l ≈ 0,95 zu vermuten. Zusammen deutet dies für Präparationsbedingung (5)<br />
auf einen Ceroxid-Film mit einer vertikal größeren Gitterkonstante als Silizium hin,<br />
der eine äußerst schlechte kristalline Qualität und hohe Rauigkeiten aufweist und somit<br />
hauptsächlich amorph ist. Im Gegensatz dazu zeigt die quantitative Analyse der<br />
AG Wollschläger für die XRD-Daten des Chlor-passivierten Ceroxid-<strong>Wachstum</strong>s (5-<br />
Cl) eine kristalline Schichtdicke von 3,5 nm mit einer vertikalen Gitterkonstante von<br />
3,16 Å und einer fast vernachlässigbaren amorphen Grenzflächenschicht von 0,3 nm<br />
Schichtdicke. Der Wert für die vertikale Gitterkonstante, welcher zwischen dem Wert<br />
für die Volumenkristallstruktur von CeO 2 und c-Ce 2 O 3 liegt (vgl. Tab. 4.8), ist erneut<br />
auf die Nachoxidation des Ce 2 O 3 -Films unter ambienten Bedingungen zurückzuführen.<br />
Es konnte somit auch für einen Sauerstoffhintergrunddruck von p O2 = 5×10 −7 mbar<br />
während des Ceroxid-<strong>Wachstum</strong>s und der nachträglichen Exposition des Ceroxid-<br />
Films an ambienten Bedingungen gezeigt werden, dass die Chlor-Passivierung trotz<br />
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