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Adsorbat-modifiziertes Wachstum ultradünner Seltenerdoxid ... - E-LIB

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4 Strukturelle und chemische Zusammensetzung von <strong>Seltenerdoxid</strong>-Filmen<br />

auf Si(111)<br />

Intensity (arb. units)<br />

calculation<br />

(1−Cl)<br />

0.8 0.9 1.0 1.1 1.2 1.3<br />

L (r. l. u.)<br />

Abb. 4.45 (00l)-CTR-Daten (offene Symbole) und theoretische Anpassung (durchgezogene<br />

Linie) nach dem <strong>Wachstum</strong> von 2,9 nm Ceroxid bei einer <strong>Wachstum</strong>srate<br />

von 1,0 Å /min auf Chlor-passiviertem Cl/Si(111)-(1×1) bei einer<br />

Substrattemperatur von 500 ℃ und einem Sauerstoffhintergrunddruck<br />

von p O2 = 1 × 10 −7 mbar (Präparationsbedingungen (1-Cl))<br />

Unter Berücksichtigung der Fehler kann davon ausgegangen werden, dass es an<br />

der Grenzfläche zu keinen nennenswerten Reifungsprozessen bei der Exposition des<br />

Ceroxid-Films an ambienten Bedingungen kommt. Der Ceroxid-Film unterliegt dabei<br />

lediglich einer Nachoxidation, wobei es zu einer Verringerung der vertikalen<br />

Gitterkonstante kommt. Zusätzlich wurde für die (1-Cl)-Proben im Vergleich zur<br />

(1)-Probe eine reduzierte <strong>Wachstum</strong>srate ((1): 2,2 Å /min und (1-Cl): 1,4 Å /min bzw.<br />

1,0 Å /min) gewählt. Dieses Vorgehen erlaubt es, kinetische Effekte, die die Grenzfläche<br />

der Chlor-passivierten Probe (1-Cl) stabilisieren, zu reduzieren, sodass der eigentliche<br />

Effekt der Chlor-Passivierung näher untersucht werden konnte. Der Einfluss der<br />

kinetischen Effekte wird näher in Abschnitt 4.5.2.3 dargestellt werden.<br />

Es konnte somit gezeigt werden, dass die Chlor-Passivierung die Bildung einer amorphen<br />

Grenzfläche für die Präparationsbedingung (1-Cl) erfolgreich unterdrückt.<br />

Bei der Exposition des Ceroxid-Films an ambienten Bedingungen kommt es trotz<br />

Nachoxidation des Ceroxid-Films zu keinem Reifungsprozess der Grenzfläche.<br />

Für analoge XRD-Untersuchungen bei erhöhtem Sauerstoffhintergrunddruck von<br />

p O2 = 5 × 10 −7 mbar während des Ceroxid-<strong>Wachstum</strong>s zeigt Abb. 4.46 (00l)-CTR-<br />

Daten in der Umgebung von l = 1 für die Präparationsbedingungen (5) und (5-Cl)<br />

für vergleichbare Schichtdicken. Die Ceroxid-Filme wurden vor dem Ausschleusen<br />

aus dem UHV nicht mit einer Silizium-Schutzschicht versehen, sodass es wieder zu<br />

einer Nachoxidation der Ceroxid-Filme kommen kann. Qualitativ ist sofort ein enor-<br />

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