Adsorbat-modifiziertes Wachstum ultradünner Seltenerdoxid ... - E-LIB
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4.5 Charakterisierung von <strong>Seltenerdoxid</strong>-Filmen mit Schichtdicken im Bereich<br />
einiger Nanometer mit Hilfe von XRD und GIXRD<br />
(a)<br />
Intensity (arb. units)<br />
calculation<br />
(1)<br />
(b)<br />
1<br />
10 –1<br />
0.8 0.9 1.0 1.1<br />
L (r. l. u.)<br />
calculation<br />
(1)<br />
Intensity<br />
10 –2<br />
10 –3<br />
10 –4<br />
10 –5<br />
10 –6<br />
0 0.1 0.2 0.3 0.4<br />
Scattering vector q (1/Å)<br />
Abb. 4.43 (a) (00l)-CTR und (b) Röntgenreflektometrie (XRR) Daten (offene Symbole)<br />
und theoretische Anpassung (durchgezogene Linien) nach dem<br />
<strong>Wachstum</strong> von 6,5 nm Ceroxid bei einer <strong>Wachstum</strong>srate von 2,2 Å /min<br />
auf nicht passiviertem Si(111)-(7 × 7) bei einer Substrattemperatur von<br />
500 ℃ und einem Sauerstoffhintergrunddruck von p O2 = 1 × 10 −7 mbar<br />
(Präparationsbedingungen (1)) und dem anschließenden Aufbringen einer<br />
amorphen Silizium-Schutzschicht (capping). Die Kurven in (b) sind<br />
der Übersichtlichkeit halber vertikal verschoben. (nach [102])<br />
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