Adsorbat-modifiziertes Wachstum ultradünner Seltenerdoxid ... - E-LIB

4.5 Charakterisierung von Seltenerdoxid-Filmen mit Schichtdicken im Bereich
einiger Nanometer mit Hilfe von XRD und GIXRD
[111]
2.0
Si
c−La
(151) 2
O 3
(A)
c−La O (B) 2 3
a−La 2
O 3
1.5
(131)
l (r. l. u.)
1.0
(111)
(040)
0.5
( 131)
0
(000)
0 0.5 1.0 1.5 2.0
k (r. l. u.)
[ 121]
Abb. 4.42 Ausschnitt der reziproken Gitterkarte berechnet nach der kinematischen
Beugungstheorie für Silizium, c-La 2 O 3 (Bixbyit) und a-La 2 O 3 (hexagonal)
entlang der l- und k-Richtung in Oberflächenkoordinaten für Si(111).
Die Silizium-Reflexe sind zusätzlich in reziproken Volumenkoordinaten
angegeben. Zusätzlich sind für c-La 2 O 3 die Reflexe, welche aus der jeweiligen
B-Orientierung resultieren, dargestellt. Die gelben Balken kennzeichnen
die untersuchten Bereiche des (01l)-CTRs in Beugung unter
streifendem Einfall (GIXRD).
Element/Verbindung laterale Gitterkonstante a ‖ vertikale Gitterkonstante a ⊥
Silizium 3,840 Å 3,136 Å
CeO 2 3,826 Å 3,124 Å
c-Ce 2 O 3 3,946 Å 3,222 Å
c-La 2 O 3 4,016 Å 3,279 Å
Tabelle 4.8 Laterale und vertikale Gitterkonstanten der (111)-Oberflächeneinheitszelle
von Silizium, CeO 2 , c-Ce 2 O 3 und c-La 2 O 3 . Für die Bixbyit-
Kristallstrukturen sind die Werte in Bezug auf die halbe Gitterkonstante
( a /2) angegeben.
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