Adsorbat-modifiziertes Wachstum ultradünner Seltenerdoxid ... - E-LIB
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4.5 Charakterisierung von <strong>Seltenerdoxid</strong>-Filmen mit Schichtdicken im Bereich<br />
einiger Nanometer mit Hilfe von XRD und GIXRD<br />
[111]<br />
2.0<br />
Si<br />
c−La<br />
(151) 2<br />
O 3<br />
(A)<br />
c−La O (B) 2 3<br />
a−La 2<br />
O 3<br />
1.5<br />
(131)<br />
l (r. l. u.)<br />
1.0<br />
(111)<br />
(040)<br />
0.5<br />
( 131)<br />
0<br />
(000)<br />
0 0.5 1.0 1.5 2.0<br />
k (r. l. u.)<br />
[ 121]<br />
Abb. 4.42 Ausschnitt der reziproken Gitterkarte berechnet nach der kinematischen<br />
Beugungstheorie für Silizium, c-La 2 O 3 (Bixbyit) und a-La 2 O 3 (hexagonal)<br />
entlang der l- und k-Richtung in Oberflächenkoordinaten für Si(111).<br />
Die Silizium-Reflexe sind zusätzlich in reziproken Volumenkoordinaten<br />
angegeben. Zusätzlich sind für c-La 2 O 3 die Reflexe, welche aus der jeweiligen<br />
B-Orientierung resultieren, dargestellt. Die gelben Balken kennzeichnen<br />
die untersuchten Bereiche des (01l)-CTRs in Beugung unter<br />
streifendem Einfall (GIXRD).<br />
Element/Verbindung laterale Gitterkonstante a ‖ vertikale Gitterkonstante a ⊥<br />
Silizium 3,840 Å 3,136 Å<br />
CeO 2 3,826 Å 3,124 Å<br />
c-Ce 2 O 3 3,946 Å 3,222 Å<br />
c-La 2 O 3 4,016 Å 3,279 Å<br />
Tabelle 4.8 Laterale und vertikale Gitterkonstanten der (111)-Oberflächeneinheitszelle<br />
von Silizium, CeO 2 , c-Ce 2 O 3 und c-La 2 O 3 . Für die Bixbyit-<br />
Kristallstrukturen sind die Werte in Bezug auf die halbe Gitterkonstante<br />
( a /2) angegeben.<br />
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