Adsorbat-modifiziertes Wachstum ultradünner Seltenerdoxid ... - E-LIB
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4 Strukturelle und chemische Zusammensetzung von <strong>Seltenerdoxid</strong>-Filmen<br />
auf Si(111)<br />
[111]<br />
2.0<br />
1.5<br />
(131)<br />
Si<br />
CeO (A) 2<br />
(151) CeO (B) 2<br />
c−Ce O (A) 2 3<br />
c−Ce 2<br />
O 3<br />
(B)<br />
a−Ce O 2 3<br />
l (r. l. u.)<br />
1.0<br />
(111)<br />
(040)<br />
0.5<br />
( 131)<br />
0<br />
(000)<br />
0 0.5 1.0 1.5 2.0<br />
k (r. l. u.)<br />
[ 121]<br />
Abb. 4.41 Ausschnitt der reziproken Gitterkarte berechnet nach der kinematischen<br />
Beugungstheorie für Silizium, CeO 2 (Fluorit), c-Ce 2 O 3 (Bixbyit) und a-<br />
Ce 2 O 3 (hexagonal) entlang der l- und k-Richtung in Oberflächenkoordinaten<br />
für Si(111). Die Silizium-Reflexe sind zusätzlich in reziproken<br />
Volumenkoordinaten angegeben. Zusätzlich sind für CeO 2 und c-Ce 2 O 3<br />
die Reflexe, welche aus der jeweiligen B-Orientierung resultieren, dargestellt.<br />
Die gelben Balken kennzeichnen die untersuchten Bereiche des<br />
(00l)-CTRs in spekularer Beugungsgeometrie und des (01l)-CTRs in Beugung<br />
unter streifendem Einfall (GIXRD).<br />
Um dem Leser einen schnellen Vergleich zu den lateralen und vertikalen Gitterkonstanten<br />
der (111)-Oberflächeneinheitszelle von Silizium, CeO 2 , c-Ce 2 O 3 und c-La 2 O 3<br />
in der folgenden Diskussion der Röntgenbeugungsergebnisse zu erleichtern, sind in<br />
Tab. 4.8 die entsprechenden Werte zusammengefasst.<br />
4.5.2 Einfluss des Sauerstoffhintergrunddrucks, der<br />
<strong>Wachstum</strong>srate und der Chlor-Passivierung auf die<br />
kristalline Qualität und die strukturellen Eigenschaften von<br />
Ceroxid-Filmen<br />
Dieser Abschnitt beleuchtet die kristalline Qualität und die strukturellen Eigenschaften<br />
der Ceroxid-Filme im Schichtdickenbereich von einigen Nanometern, welche<br />
bei 500 ℃ gewachsen wurden, in Abhängigkeit des verwendeten Sauerstoffhin-<br />
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