Adsorbat-modifiziertes Wachstum ultradünner Seltenerdoxid ... - E-LIB

4 Strukturelle und chemische Zusammensetzung von Seltenerdoxid-Filmen
auf Si(111)
[111]
2.0
1.5
(131)
Si
CeO (A) 2
(151) CeO (B) 2
c−Ce O (A) 2 3
c−Ce 2
O 3
(B)
a−Ce O 2 3
l (r. l. u.)
1.0
(111)
(040)
0.5
( 131)
0
(000)
0 0.5 1.0 1.5 2.0
k (r. l. u.)
[ 121]
Abb. 4.41 Ausschnitt der reziproken Gitterkarte berechnet nach der kinematischen
Beugungstheorie für Silizium, CeO 2 (Fluorit), c-Ce 2 O 3 (Bixbyit) und a-
Ce 2 O 3 (hexagonal) entlang der l- und k-Richtung in Oberflächenkoordinaten
für Si(111). Die Silizium-Reflexe sind zusätzlich in reziproken
Volumenkoordinaten angegeben. Zusätzlich sind für CeO 2 und c-Ce 2 O 3
die Reflexe, welche aus der jeweiligen B-Orientierung resultieren, dargestellt.
Die gelben Balken kennzeichnen die untersuchten Bereiche des
(00l)-CTRs in spekularer Beugungsgeometrie und des (01l)-CTRs in Beugung
unter streifendem Einfall (GIXRD).
Um dem Leser einen schnellen Vergleich zu den lateralen und vertikalen Gitterkonstanten
der (111)-Oberflächeneinheitszelle von Silizium, CeO 2 , c-Ce 2 O 3 und c-La 2 O 3
in der folgenden Diskussion der Röntgenbeugungsergebnisse zu erleichtern, sind in
Tab. 4.8 die entsprechenden Werte zusammengefasst.
4.5.2 Einfluss des Sauerstoffhintergrunddrucks, der
Wachstumsrate und der Chlor-Passivierung auf die
kristalline Qualität und die strukturellen Eigenschaften von
Ceroxid-Filmen
Dieser Abschnitt beleuchtet die kristalline Qualität und die strukturellen Eigenschaften
der Ceroxid-Filme im Schichtdickenbereich von einigen Nanometern, welche
bei 500 ℃ gewachsen wurden, in Abhängigkeit des verwendeten Sauerstoffhin-
118