Adsorbat-modifiziertes Wachstum ultradünner Seltenerdoxid ... - E-LIB
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4.4 <strong>Wachstum</strong> von <strong>Seltenerdoxid</strong>-Multilagen-Filmen<br />
tern bei Übereinstimmung zwischen Modellierung und Experiment den folgenden<br />
Verlauf. Die ersten Trilagen an der Grenzfläche sind amorph, während die oberen<br />
Trilagen im La 2 O 3 -Film eine perfekte Bixbyit-Kristallinität aufweisen. Der Übergang<br />
von amorphen zu perfekt kristallinen Trilagen geschieht hierbei innerhalb von<br />
ein bis zwei Trilagen, wie es schematisch in Abb. 4.39 dargestellt ist. Der Verlust der<br />
Kristallinität der Trilagen an der Grenzfläche ist in guter Übereinstimmung mit den<br />
spektroskopischen Ergebnissen der O1s-Analyse, die eine Reifung der Grenzfläche<br />
offenbart.<br />
Die Anpassung des CeL α - und Ce3d-Sekundärsignalverlaufs in Abb. 4.38 liefert kohärente<br />
Fraktionen und kohärente Positionen von f CeLα<br />
c,(111)<br />
= 0,50 und Φ CeLα<br />
c,(111)<br />
=<br />
1,09 für das Fluoreszenz-Signal und fc,(111)<br />
Ce3d = 0,63 und Φ Ce3d<br />
c,(111)<br />
= 1,08 für das<br />
Photoelektronen-Signal. Anhand der CeL α -Fluoreszenz-XSW-Daten lässt sich feststellen,<br />
dass der Ce 2 O 3 -Film eine vergleichbare Kristallinität aufweist, wie die gemittelte<br />
Kristallinität über den gesamten La 2 O 3 -Film, da sich die kohärenten Fraktionen<br />
der Fluoreszenz-Messungen lediglich um ∆f c,(111) = 0,05 unterscheiden. Im<br />
Vergleich zum <strong>Wachstum</strong> von Ceroxid-Filmen auf Si(111) (siehe Abschnitt 4.2.2<br />
und 4.2.5) ist die Kristallinität des Ce 2 O 3 -Films mit einer Schichtdicke von 6 Å auf<br />
La 2 O 3 jedoch von geringer Qualität. Betrachtet man die kohärenten Fraktionen und<br />
die kohärenten Positionen des CeL α -Signals im Vergleich zum Ce3d-Signal unter<br />
Berücksichtigung von Nicht-Dipol-Effekten von 0,08, so ergibt sich eine Differenz<br />
von ∆f c,(111) = 0,05 und ∆Φ c,(111) = 0,01. Da die Unterschiede unter Berücksichtigung<br />
der Fehler für die kohärenten Fraktionen, die kohärenten Positionen und des<br />
Nicht-Dipol-Beitrages sehr gering sind, ist davon auszugehen, dass es zu keinem<br />
nennenswerten Einbau von Cer im La 2 O 3 -Gitter an der Grenzfläche kommt. Da die<br />
oberen Lagen des Lanthanoxid-Films eine hohe Ordnung aufweisen, müsste die kohärente<br />
Fraktion des CeL α -Signals ansonsten einen höheren Wert aufweisen. Zudem<br />
ist auch die kohärente Position von Φ CeLα<br />
c,(111)<br />
= 1,09 ein Indiz dafür, dass sich die<br />
mittlere Verteilung der Cer-Atome oberhalb des La 2 O 3 -Films befindet, da sie einen<br />
höheren Wert aufweist als die zugehörigen kohärenten Positionen der inelastischen<br />
Sekundärsignale LaL α und La3d für Lanthan.<br />
Das Verhalten des Chlors während des <strong>Wachstum</strong>s von 6 Å Ce 2 O 3 auf dem La 2 O 3 -<br />
Film wurde mit Hilfe von Cl1s-XSW-Messungen in (111)-Bragg-Reflexion und Cl1s-<br />
XPS-Untersuchungen, welche in Abb. 4.40 dargestellt sind, aufgeklärt. Die integrale<br />
Intensität des Cl1s-Photoelektronen-Signals nach dem <strong>Wachstum</strong> des <strong>Seltenerdoxid</strong>-<br />
Multilagen-Films beträgt (80±2) % der Intensität der Chlor-passivierten Cl/Si(111)-<br />
(1 × 1). Da die Cl1s-Intensität nach dem <strong>Wachstum</strong> des La 2 O 3 -Films (79 ± 2) %<br />
betrug (vgl. Abschnitt 4.3) und es demnach zu keiner weiteren Abschwächung des<br />
Cl1s-Photoelektronen-Signals kommt, kann gefolgert werden, dass das Chlor beim<br />
<strong>Wachstum</strong> von Ce 2 O 3 auf La 2 O 3 bei einer Substrattemperatur von 500 ℃ und einem<br />
Sauerstoffhintergrunddruck von p O2 = 5 × 10 −7 mbar im Gegensatz zum <strong>Wachstum</strong><br />
auf Si(111) bei Präparationsbedingungen (5-Cl) an die Oberfläche segregiert. Dies<br />
wird durch die Cl1s-XSW-Messungen in Abb. 4.40 (b) bestätigt, die eine kohärente<br />
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