Adsorbat-modifiziertes Wachstum ultradünner Seltenerdoxid ... - E-LIB
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4 Strukturelle und chemische Zusammensetzung von <strong>Seltenerdoxid</strong>-Filmen<br />
auf Si(111)<br />
Aufnahme O1s-Spektrum SiO x Si-O-RE REO x<br />
La 2 O 3 0,10 0,29 0,61<br />
Ce 2 O 3 /La 2 O 3 0,14 0,22 0,65<br />
Tabelle 4.6 Auf die Gesamtintensität der O1s-XPS-Spektren aus Abb. 4.37 normierte<br />
integrale Intensitäten der Spezies SiO x , Si-O-RE und REO x vor und<br />
nach dem <strong>Wachstum</strong> von 6 Å Ce 2 O 3 auf 1,8 nm La 2 O 3<br />
entstehenden Fehlers der integralen Intensitäten von ungefähr ±0,02 ist vor allem<br />
die Intensität der SiO x -Spezies nach dem Ce 2 O 3 -<strong>Wachstum</strong> signifikant erhöht. Die<br />
Zunahme der SiO x -Intensität würde noch stärker ausfallen, wenn man eine Abschwächung<br />
des Photoelektronen-Signals von Grenzflächen-Spezies berücksichtigt.<br />
Aus den spektroskopischen Untersuchungen der O1s-XPS-Spektren kann demnach<br />
gefolgert werden, dass es durch die Deposition von Ce 2 O 3 bei 500 ℃ <strong>Wachstum</strong>stemperatur<br />
und einem Sauerstoffhintergrunddruck von p O2 = 5 × 10 −7 mbar zu einer<br />
Reifung der Grenzfläche hauptsächlich durch Bildung von Siliziumoxid-Spezies<br />
kommt.<br />
4.4.2 Strukturelle Untersuchungen<br />
Für die strukturelle Charakterisierung des Ceroxid auf Lanthanoxid <strong>Seltenerdoxid</strong>-<br />
Multilagen-Films zeigt Abb. 4.38 zugehörige Fluoreszenz- und Photoelektronen-<br />
XSW-Daten in (111)-Bragg-Reflexion unter Verwendung von LaL α -, CeL α -, La3dund<br />
Ce3d-Sekundärsignalen bei einer Photonenenergie von 6,1 keV bzw. 3,35 keV.<br />
Die Anpassung des LaL α -Fluoreszenz-Signals liefert eine kohärente Fraktion von<br />
f LaLα<br />
c,(111)<br />
= 0,55 und eine kohärente Position von ΦLaLα<br />
c,(111)<br />
= 1,04. Die kohärente Fraktion<br />
ändert sich durch die Deposition von Ce 2 O 3 auf La 2 O 3 im Rahmen des Fehlers<br />
nicht (vgl. Abschnitt 4.3). Die kohärente Position erfährt hingegen eine Abweichung<br />
von ∆Φ LaLα<br />
c,(111)<br />
= 0,05. Dies ist möglicherweise auf eine vertikale Verschiebung des<br />
gesamten Multilagen-Films durch die Reifung der Grenzfläche unter Zunahme der<br />
Siliziumoxid-Spezies zurückzuführen.<br />
Betrachtet man die kohärente Fraktion von fc,(111) La3d = 0,80 und die kohärente Position<br />
von Φ La3d<br />
c,(111)<br />
= 1,07 anhand des La3d-Signals, ergibt sich im Gegensatz zu den<br />
LaL α -XSW-Fluoreszenz-Daten ein vollkommen anderes Bild. Während die kohärente<br />
Position durch das <strong>Wachstum</strong> von Ce 2 O 3 mit ∆Φ c,(111) = 0,03 unter Berücksichtigung<br />
des Fehlers annähernd unverändert bleibt, nimmt die kohärente Fraktion<br />
um ∆f LaLα<br />
c,(111)<br />
= 0,10 zu (vgl. Abschnitt 4.3). Der Unterschied zwischen den<br />
Fluoreszenz- und Photoelektronen-XSW-Daten des Lanthanoxid-Films im <strong>Seltenerdoxid</strong>-Multilagen-Film<br />
beträgt damit unter Berücksichtigung von Nicht-Dipol-<br />
Effekten von 0,08 in der kohärenten Fraktion ∆f c = 0,17. Dieser Sachverhalt deutet<br />
darauf hin, dass die oberen Trilagen des La 2 O 3 -Films durch das <strong>Wachstum</strong><br />
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