Adsorbat-modifiziertes Wachstum ultradünner Seltenerdoxid ... - E-LIB

4 Strukturelle und chemische Zusammensetzung von Seltenerdoxid-Filmen
auf Si(111)
können. Dies bedeutet, dass die Chlor-Passivierung Cl/Si(111)-(1 × 1) die gleichen
Auswirkungen wie beim Ce 2 O 3 -Wachstum bewirkt (siehe Abschnitt 4.2.5.1), obwohl
das Chlor beim Wachstum von La 2 O 3 vorwiegend als surfactant fungiert. Die absolute
kristalline Qualität der La 2 O 3 -Filme reicht jedoch an die für Ce 2 O 3 erzielten
Ergebnisse nicht heran.
4.4 Wachstum von Seltenerdoxid-Multilagen-Filmen
In diesem Abschnitt soll das Wachstum von Seltenerdoxid-Multilagen-Filmen am
Beispiel vom Ceroxid-Wachstum auf Lanthanoxid-Filmen untersucht werden, welche
auf Chlor-passiviertem Cl/Si(111)-(1 × 1) unter Präparationsbedingungen (5-Cl)
deponiert wurden.
4.4.1 Spektroskopische Untersuchungen
Ceroxid mit einer Schichtdicke von 6 Å wurde hierzu bei einer Substrattemperatur
von 500 ℃ und einem Sauerstoffhintergrunddruck von p O2 = 5 × 10 −7 mbar auf
1,8 nm La 2 O 3 abgeschieden. Abb. 4.36 zeigt das zugehörige Ce3d-XPS-Spektrum aufgenommen
bei einer Photonenenergie von 3,35 keV. Das Spektrum kann mit Hilfe
der zum Ce 3+ -Oxidationszustand gehörigen Peaks (v 0 ,v’,u 0 , u’) und den entspre-
Normalized Intensity (arb. units)
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
Ce3d
fit
v‘, u‘
v 0
, u 0
EL‘
EL 0
40
30 20 10
Relative Binding Energy (eV)
0
−10
Abb. 4.36 Ce3d-XPS-Spektrum aufgenommen bei einer Photonenenergie von
3,35 keV von einem Ceroxid-Film mit einer Schichtdicke von 6 Å gewachsen
bei 500 ℃ Substrattemperatur und einem Sauerstoffhintergrunddruck
von p O2 = 5×10 −7 mbar auf 1,8 nm Lanthanoxid, welches auf Cl/Si(111)-
(1 × 1) bei Präparationsbedingungen (5-Cl) deponiert wurde
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