Adsorbat-modifiziertes Wachstum ultradünner Seltenerdoxid ... - E-LIB
Adsorbat-modifiziertes Wachstum ultradünner Seltenerdoxid ... - E-LIB
Adsorbat-modifiziertes Wachstum ultradünner Seltenerdoxid ... - E-LIB
Sie wollen auch ein ePaper? Erhöhen Sie die Reichweite Ihrer Titel.
YUMPU macht aus Druck-PDFs automatisch weboptimierte ePaper, die Google liebt.
4 Strukturelle und chemische Zusammensetzung von <strong>Seltenerdoxid</strong>-Filmen<br />
auf Si(111)<br />
dagegen über sämtliche Präparationsbedingungen im Bereich von 0,3.<br />
Für die strukturelle Untersuchung der Grenzflächen-Spezies anhand der chemisch<br />
sensitiven O1s-XSW-Analyse kann zusammenfassend festgestellt werden, dass sich<br />
die Ordnung der Si-O-La- und der SiO x -Spezies generell äußerst ähnlich zum <strong>Wachstum</strong><br />
von Ce 2 O 3 unter den Präparationsbedingungen (5) und (5-Cl) verhält. Dabei<br />
sticht vor allem die sehr hohe Ordnung der SiO x -Spezies unter dem Chlorpassivierten<br />
<strong>Wachstum</strong> hervor, sodass sich zusammen mit den spektroskopischen<br />
Untersuchungen das in Abb. 4.33 gezeigte Schema für die Grenzfläche zwischen<br />
La 2 O 3 und Si(111) ergibt. Dabei wird es sich bei der Siliziumoxid-Spezies (SiO x )<br />
höchstwahrscheinlich um ultradünne Oxid-Domänen handeln, während das Silikat<br />
(Si-O-La) aufgrund der verschwindenden Ordnung und der höheren Intensität im<br />
O1s-Spektrum vermutlich Domänen größerer Schichtdicke aufweist. Dies ist im Einklang<br />
mit anderen Studien, die ebenfalls zeigen, dass es beim La 2 O 3 -<strong>Wachstum</strong> an<br />
der Grenzfläche hauptsächlich zur Bildung von Lanthansilikat kommt [21, 156].<br />
lanthana interface model<br />
La O 2 3<br />
SiO x<br />
Si-O-La<br />
Den Einfluss der Chlor-Passivierung auf die kristalline Ordnung der La 2 O 3 -Filme<br />
zeigt Abb. 4.34 anhand von XSW-Daten in (111)-Bragg-Reflexion unter Verwendung<br />
der LaL α -Fluoreszenz und von La3d-Photoelektronen bei einer Photonenenergie von<br />
6,1 keV bzw. 3,35 keV für die Präparationsbedingungen (5) und (5-Cl). Die Verläufe<br />
der Fluoreszenz-Signale liefern für die kohärenten Fraktionen und die kohärenten<br />
Positionen folgende Werte: f LaLα<br />
c,(111)<br />
(5) = 0,42 und ΦLaLα<br />
c,(111)<br />
(5) = 0,99 für das nicht<br />
passivierte <strong>Wachstum</strong> (5) und f LaLα<br />
c,(111)<br />
(5-Cl) = 0,57 und ΦLaLα<br />
c,(111)<br />
(5-Cl) = 0,99 für<br />
das Chlor-passivierte <strong>Wachstum</strong> (5-Cl). Aufgrund der höheren kohärenten Fraktion<br />
von ∆f c = 0,15 für (5-Cl) ist der positive Einfluss des Chlors auf die kristalline<br />
Ordnung des La 2 O 3 -Films analog zum Ce 2 O 3 -<strong>Wachstum</strong> auszumachen. Um die Kristallinität<br />
des Lanthanoxid-Films auf absoluter Skala abschätzen zu können, wurden<br />
analog zum Ceroxid-<strong>Wachstum</strong> quantitative XSW-Modellierungen, wie sie in Abschnitt<br />
2.5.1 beschrieben sind, durchgeführt. Röntgenbeugungs-Untersuchungen unter<br />
streifendem Einfall (GIXRD) haben gezeigt, dass La 2 O 3 -Filme mit einer Schichtsilicon<br />
substrate<br />
Abb. 4.33 Schematische Darstellung der Grenzfläche zwischen Si(111) und La 2 O 3 -<br />
Film bei Präparationsbedingungen (5-Cl) anhand der spektroskopischen<br />
Si1s- und O1s-Ergebnisse und der chemisch sensitiven O1s-XSW-Analyse<br />
der Si-O-La- und SiO x -Spezies<br />
104