Adsorbat-modifiziertes Wachstum ultradünner Seltenerdoxid ... - E-LIB

4.3 Charakterisierung ultradünner Lanthanoxid-Filme
Normalized Intensity (arb. units)
0.9
0.7
0.5
0.3
0.1
Si1s
Fit
Backgr.
Si 0
Si +1
SiO x
5
4 3 2 1 0 −1
Relative Binding Energy (eV)
−2
Si1s
Fit
Backgr.
Si 0
(5) (5-Cl)
Si +1
SiO x
5 4 3 2 1 0 −1
Relative Binding Energy (eV)
−2
Abb. 4.30 Si1s-XPS-Spektren von Lanthanoxid-Filmen mit einer Schichtdicke von
1,8 nm gewachsen bei 500 ℃ und einem Sauerstoffhintergrunddruck von
p O2 = 5×10 −7 mbar auf nicht passiviertem Si(111)-(7×7) (5) und Chlorpassiviertem
Cl/Si(111)-(1×1) (5-Cl) aufgenommen bei einer Photonenenergie
von 3,35 keV
Normalized Intensity (arb. units)
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
5
O1s
Fit
Backgr.
SiOx
Si−O−La
LaOx
4 3 2 1 0 −1
Relative Binding Energy (eV)
O1s
(5) 0.9
Fit
Backgr.
(5-Cl)
SiOx
0.7
Si−O−La
LaOx
−2
Normalized Intensity (arb. units)
0.5
0.3
5
4 3 2 1 0 −1
Relative Binding Energy (eV)
−2
Abb. 4.31 O1s-XPS-Spektren von Lanthanoxid-Filmen mit einer Schichtdicke von
1,8 nm gewachsen bei 500 ℃ und einem Sauerstoffhintergrunddruck von
p O2 = 5×10 −7 mbar auf nicht passiviertem Si(111)-(7×7) (5) und Chlorpassiviertem
Cl/Si(111)-(1×1) (5-Cl) aufgenommen bei einer Photonenenergie
von 3,35 keV
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