Adsorbat-modifiziertes Wachstum ultradünner Seltenerdoxid ... - E-LIB
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4 Strukturelle und chemische Zusammensetzung von <strong>Seltenerdoxid</strong>-Filmen<br />
auf Si(111)<br />
Normalized Intensity (arb. units)<br />
1<br />
0.8<br />
0.6<br />
0.4<br />
0.2<br />
(5)<br />
(5−Cl)<br />
c’<br />
c<br />
∆E=0.35 eV<br />
d’<br />
d<br />
30<br />
20 10 0<br />
Relative Binding Energy (eV)<br />
−10<br />
Abb. 4.29 La3d-XPS-Spektren von Lanthanoxid-Filmen mit einer Schichtdicke von<br />
1,8 nm gewachsen bei 500 ℃ und einem Sauerstoffhintergrunddruck von<br />
p O2 = 5 × 10 −7 mbar auf nicht passiviertem Si(111)-(7 × 7) (5-Cl) und<br />
Chlor-passiviertem Cl/Si(111)-(1 × 1) (5-Cl) aufgenommen bei einer<br />
Photonenenergie von 3,35 keV<br />
das nicht passivierte <strong>Wachstum</strong> der deponierte Film zu einem beachtlichen Teil aus<br />
Lanthansilikaten besteht, führt die Chlor-Passivierung (5-Cl) dazu, dass das Silikat<br />
stark unterdrückt wird und sich ein La 2 O 3 -Film ausbildet.<br />
Um spektroskopisch den Einfluss der Chlor-Passivierung auf die Grenzfläche zwischen<br />
Si(111) und La 2 O 3 aufzuklären, sind in Abb. 4.30 entsprechende Si1s-XPS-<br />
Spektren dargestellt, die bei einer Photonenenergie von 3,35 keV aufgenommen wurden.<br />
Es ist rein qualitativ sofort erkennbar, dass die Chlor-Passivierung der Si(111)-<br />
Oberfläche vor dem Lanthanoxid-<strong>Wachstum</strong> analog zu den Ergebnissen des Ce 2 O 3 -<br />
<strong>Wachstum</strong>s (Abschnitt 4.2.4) zu einer drastischen Reduzierung von amorphen Silikatund<br />
Siliziumoxid-Spezies an der Grenzfläche führt. Bei einer quantitativen XPS-<br />
Auswertung ist für das nicht passivierte <strong>Wachstum</strong> (5) eine breite oxidische Schulter<br />
SiO x im Spektrum auszumachen, die eine mittlere chemische Verschiebung von<br />
3,8 eV aufweist. Dies entspricht einem mittleren Oxidationszustand von SiO 1,7 [162].<br />
Die Chlor-Passivierung Cl/Si(111)-(1×1) unterdrückt diese Spezies im Si1s-Spektrum<br />
jedoch vollständig und es ist lediglich eine äußerst geringe Asymmetrie des Si 0 -Peaks<br />
auszumachen, die durch eine Si +1 -Komponente erklärt werden kann.<br />
Die Ergebnisse der Si1s-Analyse werden durch die entsprechenden O1s-XPS-Spektren<br />
der Präparationsbedingungen (5) und (5-Cl) in Abb. 4.31 bestätigt. Die zur<br />
Aufnahme der Spektren verwendete Photonenenergie betrug ebenfalls 3,35 keV. Bei<br />
der Anpassung der O1s-Spektren wurde analog zum Vorgehen für die Ceroxid-<br />
Filme in Abschnitt 4.2.4 vorgegangen. Die drei verwendeten Spezies können dem<br />
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