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Adsorbat-modifiziertes Wachstum ultradünner Seltenerdoxid ... - E-LIB

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4 Strukturelle und chemische Zusammensetzung von <strong>Seltenerdoxid</strong>-Filmen<br />

auf Si(111)<br />

Normalized Intensity (arb. units)<br />

1<br />

0.8<br />

0.6<br />

0.4<br />

0.2<br />

(5)<br />

(5−Cl)<br />

c’<br />

c<br />

∆E=0.35 eV<br />

d’<br />

d<br />

30<br />

20 10 0<br />

Relative Binding Energy (eV)<br />

−10<br />

Abb. 4.29 La3d-XPS-Spektren von Lanthanoxid-Filmen mit einer Schichtdicke von<br />

1,8 nm gewachsen bei 500 ℃ und einem Sauerstoffhintergrunddruck von<br />

p O2 = 5 × 10 −7 mbar auf nicht passiviertem Si(111)-(7 × 7) (5-Cl) und<br />

Chlor-passiviertem Cl/Si(111)-(1 × 1) (5-Cl) aufgenommen bei einer<br />

Photonenenergie von 3,35 keV<br />

das nicht passivierte <strong>Wachstum</strong> der deponierte Film zu einem beachtlichen Teil aus<br />

Lanthansilikaten besteht, führt die Chlor-Passivierung (5-Cl) dazu, dass das Silikat<br />

stark unterdrückt wird und sich ein La 2 O 3 -Film ausbildet.<br />

Um spektroskopisch den Einfluss der Chlor-Passivierung auf die Grenzfläche zwischen<br />

Si(111) und La 2 O 3 aufzuklären, sind in Abb. 4.30 entsprechende Si1s-XPS-<br />

Spektren dargestellt, die bei einer Photonenenergie von 3,35 keV aufgenommen wurden.<br />

Es ist rein qualitativ sofort erkennbar, dass die Chlor-Passivierung der Si(111)-<br />

Oberfläche vor dem Lanthanoxid-<strong>Wachstum</strong> analog zu den Ergebnissen des Ce 2 O 3 -<br />

<strong>Wachstum</strong>s (Abschnitt 4.2.4) zu einer drastischen Reduzierung von amorphen Silikatund<br />

Siliziumoxid-Spezies an der Grenzfläche führt. Bei einer quantitativen XPS-<br />

Auswertung ist für das nicht passivierte <strong>Wachstum</strong> (5) eine breite oxidische Schulter<br />

SiO x im Spektrum auszumachen, die eine mittlere chemische Verschiebung von<br />

3,8 eV aufweist. Dies entspricht einem mittleren Oxidationszustand von SiO 1,7 [162].<br />

Die Chlor-Passivierung Cl/Si(111)-(1×1) unterdrückt diese Spezies im Si1s-Spektrum<br />

jedoch vollständig und es ist lediglich eine äußerst geringe Asymmetrie des Si 0 -Peaks<br />

auszumachen, die durch eine Si +1 -Komponente erklärt werden kann.<br />

Die Ergebnisse der Si1s-Analyse werden durch die entsprechenden O1s-XPS-Spektren<br />

der Präparationsbedingungen (5) und (5-Cl) in Abb. 4.31 bestätigt. Die zur<br />

Aufnahme der Spektren verwendete Photonenenergie betrug ebenfalls 3,35 keV. Bei<br />

der Anpassung der O1s-Spektren wurde analog zum Vorgehen für die Ceroxid-<br />

Filme in Abschnitt 4.2.4 vorgegangen. Die drei verwendeten Spezies können dem<br />

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