Adsorbat-modifiziertes Wachstum ultradünner Seltenerdoxid ... - E-LIB
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4 Strukturelle und chemische Zusammensetzung von <strong>Seltenerdoxid</strong>-Filmen<br />
auf Si(111)<br />
before<br />
ceria growth<br />
Ga/Si(111)-(6,3x6,3)<br />
Ga/Si(111)-( 3x 3)R30°<br />
silicon substrate<br />
after ceria growth<br />
Ga/Si(111)-(6,3x6,3)*<br />
silicat e/SiO x<br />
Ce O 2 3<br />
silicon substrate<br />
Abb. 4.28 Schematische Darstellung der Gallium-Passivierung vor und nach dem<br />
<strong>Wachstum</strong> von Ce 2 O 3 . Vor dem Ce 2 O 3 -<strong>Wachstum</strong>: Ga/Si(111)-( √ 3 ×<br />
√<br />
3)R30°- und Ga/Si(111)-(6,3×6,3)-Phase. Nach dem Ce2 O 3 -<strong>Wachstum</strong>:<br />
Umordnung des Galliums, die zu einer neuen Ga/Si(111)-(6,3 × 6,3) ∗ -<br />
Phase und nicht passivierten Si(111)-Bereichen führt. Aufgrund der teilweise<br />
fehlenden Passivierung kommt es an der Grenzfläche zwischen<br />
Ce 2 O 3 und Si(111) zu vermehrtem Silikat- und Siliziumoxid-<strong>Wachstum</strong>.<br />
Gallium wahrscheinlich zum Teil die modifizierten (6,3 × 6,3)-Bindungsplätze einnimmt.<br />
Dies führt aufgrund der geringeren Bedeckung der ( √ 3 × √ 3) Phase von<br />
1/3 ML gegenüber der Bedeckung der (6,3 × 6,3) Phase von 1 ML zu nicht passivierten<br />
Bereichen der Si(111)-Oberfläche.<br />
Insgesamt ergibt sich für das <strong>Wachstum</strong> von Ce 2 O 3 auf Gallium-passiviertem Si(111)<br />
unter Präparationsbedingungen (5-Ga) das folgende plausible Szenario, welches in<br />
Abb. 4.28 schematisch dargestellt ist. Die Ga/Si(111)-( √ 3× √ 3)R30° Phase ist durch<br />
die Deposition von Ce 2 O 3 nicht stabil und ordnet sich zusammen mit der vorhandenen<br />
Ga/Si(111)-(6,3×6,3) Phase zu einer neuen modifizierten Ga/Si(111)-(6,3×6,3) ∗<br />
Überstruktur um. Hierbei entstehen nicht passivierte Si(111)-Bereiche, die wiederum<br />
das Silikat- und Siliziumoxid-<strong>Wachstum</strong> fördern (siehe Abschnitt 4.2.4), sodass kein<br />
sichtbarer Unterschied zum <strong>Wachstum</strong> auf nicht passiviertem Si(111)-(7 × 7) zu<br />
beobachten ist.<br />
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