Adsorbat-modifiziertes Wachstum ultradünner Seltenerdoxid ... - E-LIB
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4.2 Charakterisierung <strong>ultradünner</strong> Ceroxid-Filme<br />
ratur von 500 ℃ und einem Sauerstoffhintergrunddruck von p O2 = 5 × 10 −7 mbar<br />
(5-Ga). Es ergeben sich die folgenden Werte für die kohärenten Fraktionen und die<br />
kohärenten Positionen: f Ga2p<br />
c,(111)<br />
= 0,60 und ΦGa2p<br />
c,(111)<br />
= 1,00 in (111)-Bragg-Reflexion<br />
und f Ga2p<br />
c,(220)<br />
= 0,33 und ΦGa2p<br />
c,(220)<br />
= 0,97 in (220)-Bragg-Reflexion. Vergleicht man nun<br />
die XSW-Ergebnisse nach dem <strong>Wachstum</strong> mit den von Zegenhagen et al. bestimmten<br />
Werten für die kohärenten Fraktionen und die kohärenten Positionen der beiden<br />
Gallium-Phasen, lässt sich ein alleiniger Verbleib des Galliums auf dem ( √ 3 × √ 3)-<br />
Bindungsplatz ausschließen. Vielmehr scheint ein modifizierter (6,3 × 6,3)-Gallium-<br />
Bindungsplatz, wie er in Abb. 4.27 zusammen mit dem Strukturmodell für den<br />
Bindungsplatz des Galliums in der Ga/Si(111)-(6,3 × 6,3) Phase von Zegenhagen<br />
et al. [173] gezeigt ist, die Messdaten plausibel zu erklären. Hierbei ist das Galliumatom<br />
gegenüber dem Bindungsplatz vor dem <strong>Wachstum</strong> lateral leicht verschoben.<br />
Dies kann jedoch allein durch das <strong>Wachstum</strong> des Ce 2 O 3 -Films hervorgerufen sein.<br />
Um physikalisch sinnvolle Bindungslängen für die Si-Ga-Bindung zu berücksichtigen,<br />
müssen die Siliziumatome jedoch in der unteren Silizium-Bilage aus ihrer ursprünglichen<br />
Position ausgelenkt werden. Dies ist im Strukturmodell in Abb. 4.27<br />
nicht berücksichtigt. Die in (111)-Bragg-Reflexion geringere Fraktion gegenüber der<br />
Ga/Si(111)-(6,3 × 6,3) Phase kann damit erklärt werden, dass die Ga/Si(111)-<br />
( √ 3 × √ 3)R30° Phase unter dem <strong>Wachstum</strong> von Ce 2 O 3 nicht stabil ist und das<br />
(a)<br />
(b)<br />
[ 1 1 1 ]<br />
[ 112]<br />
Abb. 4.27 (a) Modell für den (6,3 × 6,3) ∗ -Bindungsplatz des Galliums nach dem<br />
<strong>Wachstum</strong> von Ce 2 O 3 unter Präparationsbedingung (5-Ga) bestimmt<br />
durch die XSW-Daten in (111)- und (220)-Bragg-Reflexion. Die gestrichelten<br />
Linien deuten die zugehörigen Beugungsebenen an, während die<br />
blauen und roten Linien die entsprechende Lage des Galliums anhand<br />
der kohärenten Position in (111)- und (220)-Richtung wiedergeben. (b)<br />
Modell von Zegenhagen et al. [173] für den Bindungsplatz des Galliums<br />
in der Ga/Si(111)-(6,3 × 6,3) Phase (aus [173]).<br />
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