Adsorbat-modifiziertes Wachstum ultradünner Seltenerdoxid ... - E-LIB

4.2 Charakterisierung ultradünner Ceroxid-Filme
ratur von 500 ℃ und einem Sauerstoffhintergrunddruck von p O2 = 5 × 10 −7 mbar
(5-Ga). Es ergeben sich die folgenden Werte für die kohärenten Fraktionen und die
kohärenten Positionen: f Ga2p
c,(111)
= 0,60 und ΦGa2p
c,(111)
= 1,00 in (111)-Bragg-Reflexion
und f Ga2p
c,(220)
= 0,33 und ΦGa2p
c,(220)
= 0,97 in (220)-Bragg-Reflexion. Vergleicht man nun
die XSW-Ergebnisse nach dem Wachstum mit den von Zegenhagen et al. bestimmten
Werten für die kohärenten Fraktionen und die kohärenten Positionen der beiden
Gallium-Phasen, lässt sich ein alleiniger Verbleib des Galliums auf dem ( √ 3 × √ 3)-
Bindungsplatz ausschließen. Vielmehr scheint ein modifizierter (6,3 × 6,3)-Gallium-
Bindungsplatz, wie er in Abb. 4.27 zusammen mit dem Strukturmodell für den
Bindungsplatz des Galliums in der Ga/Si(111)-(6,3 × 6,3) Phase von Zegenhagen
et al. [173] gezeigt ist, die Messdaten plausibel zu erklären. Hierbei ist das Galliumatom
gegenüber dem Bindungsplatz vor dem Wachstum lateral leicht verschoben.
Dies kann jedoch allein durch das Wachstum des Ce 2 O 3 -Films hervorgerufen sein.
Um physikalisch sinnvolle Bindungslängen für die Si-Ga-Bindung zu berücksichtigen,
müssen die Siliziumatome jedoch in der unteren Silizium-Bilage aus ihrer ursprünglichen
Position ausgelenkt werden. Dies ist im Strukturmodell in Abb. 4.27
nicht berücksichtigt. Die in (111)-Bragg-Reflexion geringere Fraktion gegenüber der
Ga/Si(111)-(6,3 × 6,3) Phase kann damit erklärt werden, dass die Ga/Si(111)-
( √ 3 × √ 3)R30° Phase unter dem Wachstum von Ce 2 O 3 nicht stabil ist und das
(a)
(b)
[ 1 1 1 ]
[ 112]
Abb. 4.27 (a) Modell für den (6,3 × 6,3) ∗ -Bindungsplatz des Galliums nach dem
Wachstum von Ce 2 O 3 unter Präparationsbedingung (5-Ga) bestimmt
durch die XSW-Daten in (111)- und (220)-Bragg-Reflexion. Die gestrichelten
Linien deuten die zugehörigen Beugungsebenen an, während die
blauen und roten Linien die entsprechende Lage des Galliums anhand
der kohärenten Position in (111)- und (220)-Richtung wiedergeben. (b)
Modell von Zegenhagen et al. [173] für den Bindungsplatz des Galliums
in der Ga/Si(111)-(6,3 × 6,3) Phase (aus [173]).
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