Adsorbat-modifiziertes Wachstum ultradünner Seltenerdoxid ... - E-LIB

4 Strukturelle und chemische Zusammensetzung von Seltenerdoxid-Filmen
auf Si(111)
Ga Photoelectron Yield
Ga Photoelectron Yield
Normalized Intensity (arb. units)
2.0
1.5
1.0
0.5
Reflectivity
(5−Ga)
(111)
(a)
2.0
Normalized Intensity (arb. units)
f c = 0.60
Φ c = 1.00
1.5
1.0
0.5
Reflectivity
(5−Ga)
(220)
(b)
f c = 0.33
Φ c
= 0.97
0
−0.5 0 0.5 1
E−E (eV) Bragg
0
−0.2 0 0.2 0.4 0.6
E−E (eV) Bragg
Abb. 4.26 XSW-Daten (offene Symbole) und theoretische Anpassung nach der
dynamischen Theorie der Röntgenbeugung (durchgezogene Linien) unter
Verwendung von Ga2p-Photoelektronen in (111)-Bragg-Reflexion (a)
und (220)-Bragg-Reflexion (b) bei einer Photonenenergie von 3,35 keV
nach dem Wachstum von 6 Å Ce 2 O 3 auf Gallium-passiviertem Si(111),
Ga/Si(111)-( √ 3 × √ 3)R30° und Ga/Si(111)-(6,3 × 6,3), bei einer Substrattemperatur
von 500 ℃ und einem Sauerstoffhintergrunddruck von
p O2 = 5 × 10 −7 mbar (5-Ga).
(220)-Bragg-Reflexion die folgenden Werte für die kohärenten Fraktionen und die
kohärenten Positionen. Ga/Si(111)-( √ 3 × √ 3)R30°: f (√ 3 × √ 3)
c,(111)
≤ 0,97, Φ (√ 3 × √ 3)
c,(111)
=
0,60 ± 0,01 und f (√ 3 × √ 3)
c,(220)
≤ 0,8, Φ (√ 3 × √ 3)
c,(220)
= 0,98 ± 0,03 und für Ga/Si(111)-(6,3 ×
(6,3 × 6,3)
(6,3 × 6,3)
(6,3 × 6,3)
(6,3 × 6,3)
6,3): f
c,(111)
= 0,84, Φ
c,(111)
= 0,99 ± 0,01 und f
c,(220)
= 0,27, Φ
c,(220)
=
0,76. Für die kohärenten Fraktionen der Ga/Si(111)-( √ 3 × √ 3)R30°-Phase geben
Zegenhagen et al. die maximal erreichten kohärenten Fraktionen an, da diese von
den Präparationsbedingungen abhängen und dementsprechend auch geringere Werte
aufweisen können. Teilweise wurden von Zegenhagen et al. keine Fehler angegeben
und es ist deshalb wahrscheinlich von einem Fehler im Bereich von ±0,01 auszugehen.
Die äußerst geringe kohärente Fraktion in (220)-Richtung kommt dabei durch die
nicht kommensurable Struktur der Ga/Si(111)-(6,3 × 6,3) Phase zustande [173].
Um nun mit Hilfe von stehenden Röntenwellenfeldern das Verhalten des Galliums
nach dem Wachstum aufzuklären, zeigt Abb. 4.26 XSW-Daten unter Verwendung
von Ga2p-Photoelektronen in (111)- und (220)-Bragg-Reflexion bei einer Photonenenergie
von 3,35 keV nach dem Wachstum von 6 Å Ce 2 O 3 bei einer Substrattempe-
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