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Adsorbat-modifiziertes Wachstum ultradünner Seltenerdoxid ... - E-LIB

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4 Strukturelle und chemische Zusammensetzung von <strong>Seltenerdoxid</strong>-Filmen<br />

auf Si(111)<br />

Normalized Intensity (arb. units)<br />

12<br />

10<br />

8<br />

6<br />

4<br />

2<br />

Ag3d photoemission spectra<br />

Before ceria growth<br />

After ceria growth<br />

Si1s photoemission spectra<br />

Before ceria growth<br />

After ceria growth<br />

10<br />

8 6 4 2 0<br />

Relative Binding Energy (eV)<br />

−2<br />

4 2 0<br />

Relative Binding Energy (eV)<br />

−2<br />

Abb. 4.23 Ag3d- und Si1s-XPS-Spektren aufgenommen bei einer Photonenenergie<br />

von 2,6 keV vor und nach dem <strong>Wachstum</strong> von 6 Å Ce 2 O 3 bei einer Substrattemperatur<br />

von 500 ℃ und einem Sauerstoffhintergrunddruck von<br />

p O2 = 5 × 10 −7 mbar (5-Ag). Die Spektren wurden auf die Primärintensität<br />

und die Integrationszeit normiert.<br />

nächst zu entnehmen, dass die integrale Intensität des Ag3d-Photoelektronensignals<br />

nach dem Ceroxid-<strong>Wachstum</strong> drastisch abgefallen ist gegenüber der Intensität vor<br />

dem <strong>Wachstum</strong>. Dieser Abfall der Intensität fällt für das Ag3d-Signal sogar sehr<br />

viel stärker aus als für das Si1s-Signal, obwohl die kinetische Energie der Ag3d-<br />

Photoelektronen mit ca. 2230 eV sehr viel höher ist als die kinetische Energie der<br />

Si1s-Photoelektronen von ca. 760 eV. In dem Si1s-Spektrum nach dem <strong>Wachstum</strong><br />

von Ce 2 O 3 ist die deutliche Zunahme von Silikat- und Siliziumoxidspezies an der<br />

Grenzfläche zu beobachten, wie bereits in Abschnitt 4.2.4 diskutiert.<br />

Um zusätzlich strukturelle Informationen über das Silber vor und nach dem <strong>Wachstum</strong><br />

zu gewinnen, präsentiert Abb. 4.24 AgL α -Fluoreszenz- und Ag3d-Photoelektronen-XSW-Daten.<br />

Für die Silber-passivierte Si(111)-Oberfläche ergeben sich für die<br />

kohärente Fraktion und die kohärente Position unter Verwendung der Photoelektronen<br />

als inelastisches Sekundärsignal die Werte f Ag3d<br />

c,(111)<br />

und unter Verwendung der Fluoreszenz die Werte f AgLα<br />

c,(111)<br />

= 0,93 und ΦAg3d<br />

c,(111) = 1,09<br />

= 0,17 und ΦAgLα<br />

c,(111) = 0,78.<br />

Hierbei fällt sofort die deutliche Diskrepanz zwischen den Ag3d- und den AgL α -<br />

XSW-Daten auf. Während die Amplitude und Phase der atomaren Verteilungsfunktion<br />

des Silbers, bestimmt anhand der Ag3d-Photoelektronen, die typischen Werte<br />

für die Ag/Si(111)-( √ 3 × √ 3)R30° Honeycomb-Chain-Trimer (HCT) Struktur<br />

aufweisen [169], zeigen die Fluoreszenz-Daten eine fast verschwindende kohärente<br />

Fraktion und eine stark abweichende kohärente Position. Dies deutet auf eine Silber-<br />

Bedeckung von Θ > 1 ML hin, sodass sich neben der Ag/Si(111)-( √ 3 × √ 3)R30°<br />

HCT-Struktur zusätzlich 3D-Silber-Inseln auf der Oberfläche ausbilden [133, 169],<br />

92

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