Ionen in einer linearen Paulfalle - ArchiMeD
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28 Kapitel 4. Laserkhlung von Atomen<br />
Dabei ist ∆ die Verstimmung des Lasers gegenber der Resonanz, Γ se<strong>in</strong>e L<strong>in</strong>ienbreite und ν<br />
die Bewegungsfrequenz des Ions. Um e<strong>in</strong> <strong>in</strong>tuitives Bild des Khlmechanismus unter diesen<br />
Bed<strong>in</strong>gungen zu erhalten, betrachtet man am Besten die kompletten Energieniveaus. Die Energieniveaus<br />
des Ions s<strong>in</strong>d ja die Komb<strong>in</strong>ation aus den elektronischen Niveaus und den Vibrationsniveaus<br />
im Potential der Falle. Man hat zu jedem elektronischen Niveau e<strong>in</strong>e Leiter von<br />
Zustnden des harmonischen Oszillators im Abstand der Fallenfrequenz (Abb. 4.3). Der Grundzustand<br />
ist der Zustand |g, 0〉. Dieser wird mit Dopplerkhlen normalerweise nicht erreicht. Die<br />
Energie im Grundzustand ist E = ω und bei den typischen Fallenfrequenzen meistens niedriger<br />
als die Energie am Dopplerlimit E = Γ . Strahlt man nun e<strong>in</strong>en Laser auf der Frequenz des<br />
2<br />
2<br />
roten Seitenbandes ω Laser = ω Atom − ν e<strong>in</strong>, so f<strong>in</strong>det e<strong>in</strong> bergang von |g, n + 1〉 nach |e, n〉 statt<br />
und die Bewegungsquantenzahl des Ions reduziert sich bei der Absorption um e<strong>in</strong>s. Die spontane<br />
Emission f<strong>in</strong>det bevorzugt <strong>in</strong> das Niveau mit der gleichen Bewegungsquantenzahl statt, d.h<br />
es f<strong>in</strong>det bergang von |e, n〉 nach |g, n〉 statt, wenn man sich im Lamb-Dicke-Regime bef<strong>in</strong>det.<br />
Man erniedrigt also <strong>in</strong> jedem Zyklusschritt die Bewegungsquantenzahl des Ions um e<strong>in</strong>s. Man<br />
kann also die Schw<strong>in</strong>gung des Ions khlen. Zum Khlen <strong>in</strong> den Grundzustand |g, 0〉 wiederholt<br />
man diesen Zyklus mehrmals. Ist das Ion im Grundzustand, dann gibt es ke<strong>in</strong> rotes Seitenband<br />
e<br />
...<br />
<br />
<br />
g<br />
e, n 1<br />
e, n 1<br />
e,n<br />
...<br />
...<br />
g, n 1<br />
g,n<br />
g, n 1<br />
Abbildung 4.3. Schema des Seitenbandkhlens. Die Quantisierung des harmonischen Speicherpotentials<br />
liefert e<strong>in</strong>e Leiter quidistanter Energieniveaus im Abstand<br />
hν fr jeden elektronischen Zustand. Zum Khlen strahlt man e<strong>in</strong>en Laser<br />
auf dem roten Seitenband e<strong>in</strong>. Die Vibrations-Quantenzahl erniedrigt sich<br />
bei der Absorption e<strong>in</strong>es Photons um e<strong>in</strong>s. Die spontane Emission f<strong>in</strong>det<br />
bevorzugt zwischen Zustnden gleicher Bewegungsquantenzahl statt, wenn<br />
man im Lamb-Dicke Regime ist. Durch mehrfache Wiederholung dieses<br />
Zyklus kann man so den Grundzustand erreichen. Dann gibt es ke<strong>in</strong> rotes<br />
Seitenband mehr und der Zyklus endet.<br />
mehr und der Vorgang endet automatisch. Mit dem Verfahren des Seitenbandkhlens ist es also<br />
mglich, das Dopplerlimit zu unterschreiten und bis <strong>in</strong> den quantenmechanischen Grundzustand<br />
der Falle herunterzukhlen. Das Erreichen des Grundzustands lt sich experimentell ebenfalls aus<br />
dem Absorptionsspektrum detektieren. Die Messung der Temperatur geschieht entsprechend<br />
durch die Messung der Absorptionsstrke des roten und blauen Seitenbandes, die ja direkt proportional<br />
zur Besetzungszahl n ist. Bef<strong>in</strong>det sich das Ion im Grundzustand, so verschw<strong>in</strong>det die<br />
Absorption auf dem roten Seitenband vllig.<br />
Zusammenfassend kann man also festhalten, da man mit Seitenbandkhlen Teilchen <strong>in</strong> e<strong>in</strong>er