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Ionen in einer linearen Paulfalle - ArchiMeD

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28 Kapitel 4. Laserkhlung von Atomen<br />

Dabei ist ∆ die Verstimmung des Lasers gegenber der Resonanz, Γ se<strong>in</strong>e L<strong>in</strong>ienbreite und ν<br />

die Bewegungsfrequenz des Ions. Um e<strong>in</strong> <strong>in</strong>tuitives Bild des Khlmechanismus unter diesen<br />

Bed<strong>in</strong>gungen zu erhalten, betrachtet man am Besten die kompletten Energieniveaus. Die Energieniveaus<br />

des Ions s<strong>in</strong>d ja die Komb<strong>in</strong>ation aus den elektronischen Niveaus und den Vibrationsniveaus<br />

im Potential der Falle. Man hat zu jedem elektronischen Niveau e<strong>in</strong>e Leiter von<br />

Zustnden des harmonischen Oszillators im Abstand der Fallenfrequenz (Abb. 4.3). Der Grundzustand<br />

ist der Zustand |g, 0〉. Dieser wird mit Dopplerkhlen normalerweise nicht erreicht. Die<br />

Energie im Grundzustand ist E = ω und bei den typischen Fallenfrequenzen meistens niedriger<br />

als die Energie am Dopplerlimit E = Γ . Strahlt man nun e<strong>in</strong>en Laser auf der Frequenz des<br />

2<br />

2<br />

roten Seitenbandes ω Laser = ω Atom − ν e<strong>in</strong>, so f<strong>in</strong>det e<strong>in</strong> bergang von |g, n + 1〉 nach |e, n〉 statt<br />

und die Bewegungsquantenzahl des Ions reduziert sich bei der Absorption um e<strong>in</strong>s. Die spontane<br />

Emission f<strong>in</strong>det bevorzugt <strong>in</strong> das Niveau mit der gleichen Bewegungsquantenzahl statt, d.h<br />

es f<strong>in</strong>det bergang von |e, n〉 nach |g, n〉 statt, wenn man sich im Lamb-Dicke-Regime bef<strong>in</strong>det.<br />

Man erniedrigt also <strong>in</strong> jedem Zyklusschritt die Bewegungsquantenzahl des Ions um e<strong>in</strong>s. Man<br />

kann also die Schw<strong>in</strong>gung des Ions khlen. Zum Khlen <strong>in</strong> den Grundzustand |g, 0〉 wiederholt<br />

man diesen Zyklus mehrmals. Ist das Ion im Grundzustand, dann gibt es ke<strong>in</strong> rotes Seitenband<br />

e<br />

...<br />

<br />

<br />

g<br />

e, n 1<br />

e, n 1<br />

e,n<br />

...<br />

...<br />

g, n 1<br />

g,n<br />

g, n 1<br />

Abbildung 4.3. Schema des Seitenbandkhlens. Die Quantisierung des harmonischen Speicherpotentials<br />

liefert e<strong>in</strong>e Leiter quidistanter Energieniveaus im Abstand<br />

hν fr jeden elektronischen Zustand. Zum Khlen strahlt man e<strong>in</strong>en Laser<br />

auf dem roten Seitenband e<strong>in</strong>. Die Vibrations-Quantenzahl erniedrigt sich<br />

bei der Absorption e<strong>in</strong>es Photons um e<strong>in</strong>s. Die spontane Emission f<strong>in</strong>det<br />

bevorzugt zwischen Zustnden gleicher Bewegungsquantenzahl statt, wenn<br />

man im Lamb-Dicke Regime ist. Durch mehrfache Wiederholung dieses<br />

Zyklus kann man so den Grundzustand erreichen. Dann gibt es ke<strong>in</strong> rotes<br />

Seitenband mehr und der Zyklus endet.<br />

mehr und der Vorgang endet automatisch. Mit dem Verfahren des Seitenbandkhlens ist es also<br />

mglich, das Dopplerlimit zu unterschreiten und bis <strong>in</strong> den quantenmechanischen Grundzustand<br />

der Falle herunterzukhlen. Das Erreichen des Grundzustands lt sich experimentell ebenfalls aus<br />

dem Absorptionsspektrum detektieren. Die Messung der Temperatur geschieht entsprechend<br />

durch die Messung der Absorptionsstrke des roten und blauen Seitenbandes, die ja direkt proportional<br />

zur Besetzungszahl n ist. Bef<strong>in</strong>det sich das Ion im Grundzustand, so verschw<strong>in</strong>det die<br />

Absorption auf dem roten Seitenband vllig.<br />

Zusammenfassend kann man also festhalten, da man mit Seitenbandkhlen Teilchen <strong>in</strong> e<strong>in</strong>er

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