Elektromagnetische Verträglichkeit (EMV) - Albino Troll

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6.2 Kapazitive Kopplung (E-Feld-Kopplung) Entsteht durch Streukapazitäten der Leitungen untereinander. C-MOS: C 2M ≈ 5pF / Gatter C 12 ≈ 0,1 – 1pF/cm (Leitungslänge) R i 100-300Ω Beispiel: C 12 = 5pF C 2M = 5pF R i = 100Ω f g = 160MHz I C = C*∆U/∆t = 5pF*5V/10ns U st = I C * R i = 25pVs/10ns * 100Ω = 0,25V Bei Advanced CMOS (Anstiegszeiten von ns) kann das problematisch werden. 6.2.1 für niedrige Frequenzen ( R L > (jω(C 12 +C 2M )) -1 ): HTL / EMV 4AHELI Seite 8 / 37

Man sollte nicht zwei schnelle Signalleitungen nebeneinander laufen lassen, wenn nötig kann man mit einer Masseleitung in der Mitte abschirmen. 6.3 Induktive Kopplung (H-Feld-Kopplung) Tritt zwischen stromdurchflossenen elektrischen Kreisen auf. Jeder Strom erzeugt ein Magnetfeld, das in benachbarte Leiterschleifen Störspannungen induziert. ESB: U st = jω*M*I 1 (steigt proportional mit der Frequenz) HTL / EMV 4AHELI Seite 9 / 37

Man sollte nicht zwei schnelle Signalleitungen nebeneinander laufen lassen, wenn nötig kann<br />

man mit einer Masseleitung in der Mitte abschirmen.<br />

6.3 Induktive Kopplung (H-Feld-Kopplung)<br />

Tritt zwischen stromdurchflossenen elektrischen Kreisen auf.<br />

Jeder Strom erzeugt ein Magnetfeld, das in benachbarte Leiterschleifen Störspannungen<br />

induziert.<br />

ESB:<br />

U st = jω*M*I 1<br />

(steigt proportional mit der Frequenz)<br />

HTL / <strong>EMV</strong> 4AHELI Seite 9 / 37

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