Sensor 11
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Werkstoffe und <strong>Sensor</strong>ik 75<br />
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Abb. <strong>11</strong>.13. - <strong>11</strong>.15.: Integration von Halbleiterdehnungsmeßstreifen<br />
und Auswerteschaltung.<br />
Abb. <strong>11</strong>.12. Anordnung der druckabhängigen Widerstände auf<br />
ei Biegeplatte bzw. Membran. Ausgangsmaterial ist eine n-Si-<br />
Scheibe, (121)-orientiert. Längswiderstände liegen in [<strong>11</strong>1]-<br />
Richtung, Querwiderstände in [101]-Richtung. Dadurch haben<br />
die Widerstandsänderungen bei Druckbelastung eine entgegengesetztes<br />
Vorzeichen und führen in einer Brückenschaltung zu<br />
sich addierenden Wirkungen.<br />
Abb. <strong>11</strong>.13. Drucksensor aus 4 diffundierten Widerständen in<br />
einer Siliziummembran und Signalverarbeitungselektronik im<br />
gleichen Silizium<br />
Abb. <strong>11</strong>.14. Schaltung, Querschnitt und Draufsicht eines integrierten Drucksensors aus Dehnungsmeßstreifen und Interfaceelektronik.<br />
Die gestrichelte Linie zeigt den Membranbereich in der Draufsicht an. Außerhalb dieses Bereiches sind die Strukturen des<br />
Differenzverstärkers angebracht. Der Querschnitt zeigt, daß für die elektronische Schaltung und die diffundierten Widerstände die<br />
gleiche Schichtenfolge benutzt wird.