IGF-Projekt - 15462 N - Chipumspritzen - Mikroaufbautechnik am ...
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<strong>IGF</strong> Vorhaben Nr. <strong>15462</strong>N<br />
Viawiderstand [mOhm]<br />
20,0<br />
18,0<br />
16,0<br />
14,0<br />
12,0<br />
10,0<br />
8,0<br />
6,0<br />
4,0<br />
2,0<br />
0,0<br />
Mittelwerte der Viawiderstände 4 Vias pro Substrat (Chipgröße 3,3mm x<br />
2,2mm; Padgröße 450µm)<br />
1 2 3 4 MW 6 7 8 9 MW 11 12 13 14 MW 16 17 18 19 MW<br />
Aspekt 1,43 Aspekt 1,23 Aspekt 1,08 Aspekt 0,96<br />
Substrat<br />
Mittelwert nach Metallbeschichtung<br />
Mittelwert nach 5 Durchläufen<br />
Mittelwert nach einem Durchlauf<br />
Abbildung 67: Ergebnisse der Untersuchungen zum Einfluss des D<strong>am</strong>pfphasenlötprozess (Daisy-Chain-<br />
Messung)<br />
Wie in Abbildung 66 und Abbildung 67 dargestellt ist, haben nur die Substrate mit kleinem<br />
Chip (Kantenlänge 2,2mm x 3,3mm) und einem Aspektverhältnis der Vias 1,08 und 0,96 den<br />
bleifreien D<strong>am</strong>pfphasenlötprozess nach folgenden Ausfallkriterien bestanden:<br />
• Widerstandsänderung größer 5mOhm und<br />
• Widerstandsänderung größer 50% vom Ausgangswiderstand<br />
Bei allen anderen Substratvarianten ist wenigstens ein Via nach den genannten Kriterien<br />
ausgefallen.<br />
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