IGF-Projekt - 15462 N - Chipumspritzen - Mikroaufbautechnik am ...
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<strong>IGF</strong> Vorhaben Nr. <strong>15462</strong>N<br />
Da eine Onlinemessung der Viawiderstände während des D<strong>am</strong>pfphasenlötprozesses nicht<br />
möglich war, konnten die Viawiderstände nur vor und nach dem Lötprozess mittels 4-<br />
Leitermessung charakterisiert werden.<br />
Die Viawiderstände der prozessierten Substrate wurden jeweils vor dem Durchlauf, nach<br />
einem Durchlauf und nach 5 Durchläufen durch den D<strong>am</strong>pfphasenlötprozess vermessen.<br />
Um einen eventuellen Einfluss der Chipgröße auf das Verhalten der Viawiderstände zu<br />
ermitteln, wurden Substrate mit beiden Chipgrößen (6,6mm x 6,6mm und 2,2mm x 3,3mm)<br />
untersucht. Weiterhin wurde auch der Einfluss des Lötprozesses auf unterschiedliche<br />
Aspektverhältnisse der Vias bei den jeweiligen Chipgrößen untersucht.<br />
Viawiderstand [mOhm]<br />
20,0<br />
18,0<br />
16,0<br />
14,0<br />
12,0<br />
10,0<br />
8,0<br />
6,0<br />
4,0<br />
2,0<br />
0,0<br />
Mittelwerte der Viawiderstände 12 Vias pro Substrat (Chipgröße 6,6mm x<br />
6,6mm; Padgröße 450µm)<br />
1 2 3 4 MW 6 7 8 9 MW 11 12 13 14 MW<br />
Aspekt 1,25 Aspekt 1,11 Aspekt 1<br />
Mittelwert nach Metallbeschichtung<br />
Mittelwert nach 5 Durchläufen<br />
Substrat<br />
Mittelwert mach einem Durchlauf<br />
Abbildung 66: Ergebnisse der Untersuchungen zum Einfluss des D<strong>am</strong>pfphasenlötprozess (Daisy-Chain-<br />
Messung)<br />
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