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IGF-Projekt - 15462 N - Chipumspritzen - Mikroaufbautechnik am ...

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<strong>IGF</strong> Vorhaben Nr. <strong>15462</strong>N<br />

Da eine Onlinemessung der Viawiderstände während des D<strong>am</strong>pfphasenlötprozesses nicht<br />

möglich war, konnten die Viawiderstände nur vor und nach dem Lötprozess mittels 4-<br />

Leitermessung charakterisiert werden.<br />

Die Viawiderstände der prozessierten Substrate wurden jeweils vor dem Durchlauf, nach<br />

einem Durchlauf und nach 5 Durchläufen durch den D<strong>am</strong>pfphasenlötprozess vermessen.<br />

Um einen eventuellen Einfluss der Chipgröße auf das Verhalten der Viawiderstände zu<br />

ermitteln, wurden Substrate mit beiden Chipgrößen (6,6mm x 6,6mm und 2,2mm x 3,3mm)<br />

untersucht. Weiterhin wurde auch der Einfluss des Lötprozesses auf unterschiedliche<br />

Aspektverhältnisse der Vias bei den jeweiligen Chipgrößen untersucht.<br />

Viawiderstand [mOhm]<br />

20,0<br />

18,0<br />

16,0<br />

14,0<br />

12,0<br />

10,0<br />

8,0<br />

6,0<br />

4,0<br />

2,0<br />

0,0<br />

Mittelwerte der Viawiderstände 12 Vias pro Substrat (Chipgröße 6,6mm x<br />

6,6mm; Padgröße 450µm)<br />

1 2 3 4 MW 6 7 8 9 MW 11 12 13 14 MW<br />

Aspekt 1,25 Aspekt 1,11 Aspekt 1<br />

Mittelwert nach Metallbeschichtung<br />

Mittelwert nach 5 Durchläufen<br />

Substrat<br />

Mittelwert mach einem Durchlauf<br />

Abbildung 66: Ergebnisse der Untersuchungen zum Einfluss des D<strong>am</strong>pfphasenlötprozess (Daisy-Chain-<br />

Messung)<br />

62

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