IGF-Projekt - 15462 N - Chipumspritzen - Mikroaufbautechnik am ...
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<strong>IGF</strong> Vorhaben Nr. <strong>15462</strong>N<br />
Untersucht wurden die in Tabelle 5 aufgeführten Metallisierungsvarianten und<br />
Bohrpar<strong>am</strong>eter. Der obere Viadurchmesser betrug dabei ca. 300µm.<br />
Tabelle 5: Untersuchte Metallisierungsvarinaten und Bohrpar<strong>am</strong>eter<br />
Metallisierungsvariante Bohrpar<strong>am</strong>eter 3 Bohrpar<strong>am</strong>eter 4<br />
M1<br />
(Vias werden vom Elektrolyt nicht angeströmt)<br />
M2<br />
(Vias werden vom Elektrolyt angeströmt)<br />
5 Substrate 5 Substrate<br />
5 Substrate 5 Substrate<br />
M1 mit Rüttler 5 Substrate 5 Substrate<br />
M2 mit Rüttler 5 Substrate 5 Substrate<br />
Im Anschluss an die Metallisierung der Substrate erfolgte die elektrische Vermessung der<br />
Einzelviawiderstände. Die Einzelviawiderstände von Metallisierungsvariante M1 lagen bei<br />
allen untersuchten Bohrpar<strong>am</strong>etern in dem Bereich zwischen 0,1Ω und 10Ω. Diese Werte<br />
sind sehr hoch und weisen eine extrem hohe Streuung auf. Die Ergebnisse von<br />
Metallisierungsvariante M2 sind in Abbildung 56 dargestellt.<br />
25,00<br />
Widerstand [mOhm]<br />
20,00<br />
15,00<br />
10,00<br />
5,00<br />
0,00<br />
1<br />
Bohrpar<strong>am</strong>eter 4 ohne Rüttler<br />
Bohrpar<strong>am</strong>eter 3 ohne Rüttler<br />
Bohrpar<strong>am</strong>eter 4 mit Rüttler<br />
Bohrpar<strong>am</strong>eter 3 mit Rüttler<br />
Abbildung 56: Einfluss von Gestellrüttlern auf die Metallbeschichtung der Vias<br />
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