MOCVD Basiswissen für Neueinsteiger - Aixtron

Close Coupled Showerhead ® -Technologie
Bei der Close Coupled Showerhead ® -Technologie werden Chemikalien vertikal in
die Prozesskammer eingebracht, wo sie sich dann zu Kristallen formen.
Im Close Coupled Showerhead ® -Reaktor werden die Gase durch viele kleine
Öffnungen im Reaktordeckel vertikal eingelassen – ähnlich wie ein Duschkopf im
Badezimmer funktioniert. Das Design des Showerheads stellt sicher, dass die Prozessgase
sehr ebenmäßig über die gesamte Oberfläche der Waferteller verteilt werden.
Da sich der Showerhead nah an den erhitzten Wafern befindet, spalten sich die
Chemikalien sehr schnell auf und diffundieren durch die Gasphase auf der Waferoberfläche.
Die Art und Weise, wie die Gase Einlass finden und auf die Wafer gelangen, ist bei
beiden Technologien unterschiedlich. Die Ergebnisse sind bei beiden Prozessen
jedoch vergleichbar.
Close Coupled Showerhead ® – 55x2-Zoll
Showerhead
AIXTRON MOCVD-Anlagenplattform
Beide Reaktortechnologien (Planetary Reactor ® und Close Coupled Showerhead ® )
können in unsere Anlagen-Plattformen eingebaut werden. Das IC-Konzept (IC bedeutet
„Integrated Concept“) dieser Plattformen ist extrem modular und sehr flexibel
gestaltet.
Das Plattformkonzept erlaubt, nicht nur beide Reaktortypen in nur einem einzigen
Anlagentypus Kosten sparend und effizient anzubieten, sondern lässt ebenfalls
genug Spielraum für die Umsetzung von maßgeschneiderten Kundenwünschen.
Im Herzen der Anlage, der Reaktorkammer, findet also die jeweils gewünschte Art
von Beschichtungsprozess statt. Hier werden die Halbleiterschichten auf die aufliegenden
Substrate (Wafer) aufgebracht – bei unterschiedlichen Temperaturen (bis hin
zu ca. 1.200°C).
AIXTRON IC-Anlagenplattform
Reaktorkammer für Planetary Reactor ® - und Close Coupled Showerhead ® -Technologie
6 7