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Radiation Hardness Studies of Monolithic Active Pixel Sensors ...

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5.2. AUSHEILUNG VON STRAHLENSCHÄDEN 83<br />

im Vergleich zum nur mit Röntgenstrahlen bestrahlten Chip unerwarteterweise zu niedrigeren<br />

Signalhöhen verschoben, was sich auch nicht durch die folgende Ausheilung ändert. Damit<br />

scheint es <strong>of</strong>fensichtlich einen zusätzlichen Strahlenschaden durch kombinierte Bestrahlung zu<br />

geben, der den Ausheilprozess in der Verstärkung verlangsamt.<br />

5.2.3 Zusammenfassung zur thermischen Ausheilung<br />

Volumenschäden scheinen im Vergleich zu Oberflächenschäden auf anderen Zeitskalen auszuheilen.<br />

Der Nachweis signifikanter Ausheileffekte bezüglich Volumenschäden erwies sich als<br />

eine besondere Herausforderung. Einfacher war dagegen der Nachweis, dass Volumenschäden<br />

unter den gewählten Rahmenbedingungen nicht negativ ausheilen.<br />

Bei einer Lagerung der Chips bei Raumtemperatur bis zu einem Jahr und Messung der Observablen<br />

bei T = −20 ◦ C zeigten sich keine signifikanten Ausheileffekte. Einzig im Proportionalitätswerts<br />

αV , der unter anderem die Änderung des Leckstroms durch Ausheilung charakterisiert,<br />

zeigte sich ein Hinweis für eine positive Ausheilung. Die Signifikanz ist allerdings gering, da die<br />

beobachtete Verringerung des Wertes in der gleichen Größenordnung war wie die Unsicherheiten<br />

aufgrund Temperatur und Produktionstoleranzen. Ein negatives Ausheilen der Volumenschäden<br />

bei Raumtemperatur im Zeitraum von wenigen Wochen bis zu einem Jahr wurde nicht beobachtet.<br />

Die Rahmenbedingung Ausheilung bei T = +80 ◦ C und Messung des Leckstromes bei T = +20 ◦ C<br />

ergab zusätzlich einen kleinen signifikanten positiven Ausheileffekt. Der Leckstrom konnte<br />

durch diese siebentägige Ausheilung um circa 10 % verringert werden. Untermauert wurde die<br />

Signifikanz dieses Ergebnisses dadurch, dass die Ausheilung durch Messungen in definierten<br />

Zeitabständen systematisch verfolgt werden konnte. Ein durchgeführter Exponentialfit ergab für<br />

die Ausheilung bei T = +80 ◦ C eine Zeitkonstante von (22 ± 7) h.<br />

Das Ladungsspektrum eines mit Neutronen bestrahlten Sensor (Clustergröße: 1 <strong>Pixel</strong>) ändert<br />

sich auch nach siebentägiger Aufheizung auf T = +80 ◦ C nicht signifikant. Insbesondere eine<br />

Verringerung der Ladungssammlungseffizienz, welche als eine negative Ausheilung interpretiert<br />

werden könnte, wird nicht beobachtet. Das Ladungsspektrum bei einer Clustergröße von 25<br />

<strong>Pixel</strong> zeigt darüber hinaus eine Verschiebung zu höheren Signalhöhen durch die Aufheizung.<br />

Eine Änderung der Verstärkung als Ursache konnte ausgeschlossen werden. Damit wird dies als<br />

Hinweis auf eine positive Ausheilung von Volumenschäden in MAPS angesehen.<br />

Ein Grund für die festgestellte positive Ausheilung könnten neben nicht-ionisierende Strahlenschäden<br />

auch ionisierende Strahlenschäden aus der den Neutronen unterliegende Gammastrahlung<br />

sein. Zur Unterdrückung der Auswirkungen der ionisierenden Bestrahlung wurden die<br />

Neutronenbestrahlungen ohne Spannung durchgeführt. Eine Einflussnahme kann dennoch nicht<br />

ausgeschlossen werden.<br />

Inwieweit Ausheilungen kurz nach der Neutronenbestrahlung eine Rolle spielen, konnte in dieser<br />

Arbeit nicht thematisiert werden, da die Sensoren erst einige Wochen nach der Bestrahlung<br />

untersucht wurden.

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