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Radiation Hardness Studies of Monolithic Active Pixel Sensors ...

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28 KAPITEL 3. STRAHLENSCHÄDEN<br />

nach Röntgenbestrahlung einer Dosis von 400 kRad beobachtet. Abbildung 3.5 zeigt das damals<br />

gemessene Ladungsspektrum. Der Sammelpeak bricht von 200 ADC auf circa 100 ADC ein,<br />

während sich der Kalibrationspeak und damit die Verstärkung nicht signifikant ändert. Die<br />

Verringerung der Ladungssammlungseffizienz von MIMOSA-2 nach Röntgenbestrahlung wird<br />

in [Dev07] auf einen Durchbruch der P-Senke aufgrund der positiven Ladung zurückgeführt,<br />

so dass in der Epitaxieschicht diffundierende Elektronen auch vom Resettransistor gesammelt<br />

werden können, nicht zum Signal beitragen und dadurch eine Verringerung der Ladungssammlungseffizienz<br />

hervorrufen.<br />

3.4.2 Volumenschäden in MAPS<br />

Die Strahlenhärte von MAPS in Bezug auf Volumenschäden wurde erstmals in [D + 07] beschrieben.<br />

Weitere Informationen können auch den Arbeiten [Dev07], [AY07] und [Büd08] entnommen<br />

werden. Die Autoren kommen übereinstimmend zu dem Ergebnis, dass sich durch Volumenschäden<br />

die Ladungssammlungseffizienz verringert, während gleichzeitig der Leckstrom<br />

und das Rauschen ansteigen.<br />

Ein aussagekräftiges Beispiel kann [Büd08] entnommen werden. Durchgeführt wurde diese<br />

Studie an MIMOSA-19 bei T = −20 ◦C und T = +20 ◦C bis zu einer maximalen Dosis von<br />

1,95 · 1013 neq<br />

cm2 . Eine Auswahl der Resultate zeigt Abbildung 3.6. Bei T = +20 ◦C verringert<br />

sich die Ladungssammlungseffizienz eines MIMOSA-19 von 84% auf 67%. Der Leckstrom<br />

steigt von wenigen fA auf bis zu 60 fA. Das Rauschen steigt von 20 e auf über 40 e. Das bei<br />

−20 ◦C gemessene Rauschen steigt im Vergleich dazu nur leicht an. Der Autor erklärt die<br />

Verringerung der Ladungssammlungseffizienz nach nicht-ionisierender Bestrahlung mit einer<br />

erhöhten Defektkonzentration, so dass diffundierende Elektronen eine höhere Rekombinationswahrscheinlichkeit<br />

besitzen. Diese Defekte werden weiterhin als Quelle für den erhöhten<br />

Leckstrom und das Rauschen angegeben. Darüber hinaus wird aus dem bei −20 ◦C wesentlich<br />

geringeren Anstieg des Rauschens geschlossen, dass die Kühlung der Sensoren eine Lösung<br />

sein könnte, die Volumenschäden tolerieren zu können.<br />

Für die Ladungsammlungseffizienz εCCE(d) von vier <strong>Pixel</strong> als Funktion der Bestrahlungsdosis<br />

d wird in [Dev07] eine einfache Exponentialabhängigkeit beobachtet.<br />

d −<br />

εCCE(d) = εCCE(0) · e hcc (3.9)<br />

Der Parameter εCCE(0) steht für die Ladungssammlungseffizienz vor der Bestrahlung, während<br />

hcc als Härte der Ladungssammlungseffizienz gegen nicht-ionisierende Bestrahlung interpretiert<br />

werden kann.

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