Radiation Hardness Studies of Monolithic Active Pixel Sensors ...
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14 KAPITEL 2. MONOLITHIC ACTIVE PIXEL SENSOREN (MAPS)<br />
Mimosa18<br />
10 µm Diode<br />
Area <strong>of</strong> diode≈14.96µm²<br />
Electron may diffuse in<br />
a more distant diode<br />
(a) MIMOSA-18<br />
4.4 µm<br />
Area <strong>of</strong> a diode≈58.85µm²<br />
Mimosa19-2<br />
Electron diffusion<br />
Modified<br />
L-Diode<br />
(c) MIMOSA-19 2<br />
9.5µm<br />
3.4 µm<br />
2.5 µm<br />
9.5µm<br />
Mimosa19-1<br />
Electron diffusion<br />
Area <strong>of</strong> a diode≈39.8µm²<br />
L-Diode<br />
(b) MIMOSA-19 1<br />
9.5µm<br />
2.5 µm<br />
9.5µm<br />
Abbildung 2.7: Abmessungen von<br />
a) MIMOSA-18, b) MIMOSA-19 1.<br />
Matrix und c) MIMOSA-19 2. Matrix.<br />
Die L-förmigen Dioden von<br />
MIMOSA-19 können, wie illustriert,<br />
die Unterdrückung der Ladungsausbreitung<br />
verbessern.
![GS I -P-]-17 - GSI Helmholtzzentrum für Schwerionenforschung](https://img.yumpu.com/20698964/1/184x260/gs-i-p-17-gsi-helmholtzzentrum-fur-schwerionenforschung.jpg?quality=85)
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