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Radiation Hardness Studies of Monolithic Active Pixel Sensors ...

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12 KAPITEL 2. MONOLITHIC ACTIVE PIXEL SENSOREN (MAPS)<br />

Im Unterschied zur vorher diskutierten kontinuierlichen Auslese wird das <strong>Pixel</strong> bei der diskreten<br />

Auslese entsprechend wie beim 3T-<strong>Pixel</strong> nur zu den zwei Zeitpunkten F0 und F1 ausgelesen.<br />

Eine mögliche Abfolge für ein individuelles <strong>Pixel</strong> wird in Abbildung 2.6 ausgeführt.<br />

In der ersten Abbildung sind Leckstrom und Ladestrom im Gleichgewicht, damit ist U (F0) = U (F1)<br />

und das Signal ist null.<br />

Die zweite Abbildung zeigt die Situation beim Auftreten von Signalladung. Sie führt zu einem<br />

im Vergleich zur Integrationszeit nahezu s<strong>of</strong>ortigen Abfall der Spannung. Durch den Abfall der<br />

Spannung erhöht sich gleichzeitig die an der Ladediode anliegende Spannung, was aufgrund<br />

des exponentiellen Zusammenhangs der Diodenkennlinie zwischen Spannung und Stromstärke<br />

zu einem exponentiellen Anstieg des Ladestromes führt, so dass die Signalladung langsam<br />

kompensiert wird. Der Spannungsabfall durch die Signalladung sowie die danach einsetzende<br />

aber noch nicht abgeschlossene Kompensation führt dazu, dass U (F0) > U (F1) ist und somit<br />

das Signal für einen Auslesezyklus ansteigt.<br />

In der dritten Abbildung tritt zwar keine neue Signalladung auf, die vorherige Signalladung<br />

ist aber noch nicht vollständig ausgeglichen, so dass die Spannung leicht ansteigt, damit<br />

U (F0) < U (F1) ist und zu einem leicht negativen Signal führt.<br />

In der vierten Abbildung ist die Signalladung vollständig kompensiert. Bis zum Eintreffen weiterer<br />

Signalladung kompensieren sich Leckstrom und Ladestrom, U (F0) = U (F1) und somit<br />

ist das Signal nach Anwendung des CDS-Algorithmus null.<br />

Der verwendete Messaufbau ermöglicht die diskrete Auslese sowohl von 3T- als auch SB-<strong>Pixel</strong>.<br />

In einer Spurverfolgungsaufgabe ist dagegen die kontinuierliche Auslese der SB-<strong>Pixel</strong> erforderlich.<br />

Im Rahmen dieser Strahlenhärtestudie werden keine Spurrekonstruktionen gefordert, so<br />

dass sich deshalb auf die diskrete Auslese beschränkt werden kann.<br />

Ein kritischer Punkt für den erfolgreichen Betrieb eines <strong>Sensors</strong> mit SB-<strong>Pixel</strong> ist die Nachladekonstante<br />

τ. Diese beschreibt, wie schnell eine Signalladung kompensiert wird. Ist τ zu<br />

lang, kann sich die Kapazität durch die Signalladung eines weiteren Teilchens weiterentladen,<br />

bevor die ursprüngliche komplett kompensiert wird. Über mehrere Treffer hinweg, kann so<br />

die Spannung auf null absinken und damit das <strong>Pixel</strong> insensitiv werden. Ein zu kurzes τ führt<br />

dagegen zu einer zu schnellen Kompensation der Signalladung, so dass diese kompensiert wird,<br />

bevor sie gemessen werden kann.<br />

2.3 Die verwendeten MAPS-Prototypen<br />

In den vorangegangenen Abschnitten wurden die theoretischen Grundlagen eines MAPS erörtert.<br />

In dieser Arbeit kommen vom IPHC Straßburg entwickelte, für die Detektion geladener Teilchen<br />

optimierte MAPS zur Anwendung. Tabelle 2.1 listet einige Eigenschaften der drei in dieser<br />

Arbeit verwendeten Prototypen, MIMOSA-15, MIMOSA-18 und MIMOSA-19 genannt, auf.<br />

Alle drei wurden im AMS 0,35 OPTO Prozess hergestellt. Weitere Eigenschaften sowie die

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