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Radiation Hardness Studies of Monolithic Active Pixel Sensors ...

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8 KAPITEL 2. MONOLITHIC ACTIVE PIXEL SENSOREN (MAPS)<br />

Die Annahme ist gerechtfertigt, dass die Differenz ∆U unabhängig von diesen Fluktuationen ist<br />

[Dev07]. Dieser Algorithmus wird CDS (Correlated Double Sampling) genannt.<br />

∆U = UCDS = U(t = F0) −U(t = F1) (2.5)<br />

Durch die Anwendung dieses CDS-Algorithmus können somit diese systematischen Unsicherheiten<br />

in der Teilchenidentifikation weitestgehend vermieden werden. Nach Anwendung des<br />

CDS 2 -Algorithmus enthält das Signal damit nur noch sogenannte Hintergrund- und die Signalladung,<br />

die innerhalb der Integrationszeit gesammelt wird.<br />

Im Labor kann die Hintergrundladung in Abwesenheit von Signalladung leicht durch Messungen<br />

ohne störende Signalladungsquelle studiert werden. Die dominierende Hintergrundladungsquelle<br />

ist der Leckstrom der Sammeldiode (leakage current), der die auf der Kapazität gespeicherten<br />

Ladungen durch zufällig angeregte thermische Elektronen verringert. Die Anregung ist exponentiell<br />

von der Temperatur abhängig, so dass eine höhere Temperatur die mittlere Energie der<br />

Elektronen erhöht und somit die Wahrscheinlichkeit steigt, dass ein Elektron die Bandlücke<br />

überspringen kann und das Leitungsband erreicht. Der Leckstrom wird dadurch erhöht 3 .<br />

Das Dunkelstromsignal eines idealen, rauschfreien <strong>Pixel</strong> UCDS wird hauptsächlich vom Leckstrom<br />

Ileakage verursacht. Gekoppelt sind beide über eine Proportionalitätskonstante, die vom Verhältnis<br />

der Kapazität C zur Integrationszeit tint definiert wird.<br />

Ileakage = C<br />

tint<br />

· [U (F0) −U (F1)] = C<br />

·UCDS<br />

tint<br />

(2.6)<br />

Die Fluktuationen um den Mittelwert des Messsignals werden als Rauschen (noise) bezeichnet.<br />

Zum Teilchennachweis werden zusätzliche Signalladungen QPhy eines in der Integrationszeit<br />

den Sensor durchfliegendes Teilchens als Spannungserhöhung in UCDS nachgewiesen. Der Ablauf<br />

der Analyse zum Nachweis eines möglichen Teilchens wird in Abbildung 2.4 illustriert.<br />

1. Ein Resetstrom IReset füllt die Kapazität über den Resettransistor, wodurch die Spannung<br />

UK steigt.<br />

2. Der Leckstrom verringert in der folgenden Integrationszeit die Spannung UK leicht, was<br />

in einem positiven Signal nach Anwendung von CDS resultiert.<br />

3. Die Kapazität wird wieder gefüllt.<br />

4. Zusätzliche Signalladung verringert die Spannung. Das Signal nach Anwendung von CDS<br />

ist im Vergleich zu vorher ohne Signalladung erhöht.<br />

2Im folgenden wird der Begriff "‘Signal nach Anwendung des CDS-Algorithmus"’ auch als "‘CDS"’ oder<br />

"‘CDS Signal"’ bezeichnet.<br />

3Weitere Informationen über die Elektronentheorie in Festkörper sind in [Kit05] und [S.M85] zu finden. In<br />

[Dev07] werden diese mit dem Schwerpunkt auf MAPS diskutiert.

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