Radiation Hardness Studies of Monolithic Active Pixel Sensors ...

4 KAPITEL 2. MONOLITHIC ACTIVE PIXEL SENSOREN (MAPS)
y
Substrate
Epitaxial Layer
P++ P P++
Track of a physic particle
+
P-well
Diode
x
Abbildung 2.1: Drei Schichten eines MAPS. Oben links: Ein qualitatives Dotierungsprofil des
Sensors. Gebiete hoher Dotierung werden mit P++ bezeichnet, Areale mit moderater Dotierung
werden mit P gekennzeichnet. Die Sammeldiode in gelber Färbung ist stark N-dotiert. Oben
rechts: Ein qualitatives Profil des Potentials des Leitungsbandes des Siliziums, die aus der obigen
Struktur resultiert. Unten: Ein Schrägbild des Sensors. Eine Teilchenspur wird als roter Pfeil
eingezeichnet. Entlang der Spur werden Elektronen, symbolisiert durch rote Punkte, generiert,
die dann durch den Sensor diffundieren.
n
Potential
Pitch
x