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Radiation Hardness Studies of Monolithic Active Pixel Sensors ...

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A.1. ERGÄNZUNG LADUNGSSAMMLUNGSEFFIZIENZ 91<br />

Leakage current [fA]<br />

450<br />

400<br />

350<br />

300<br />

250<br />

200<br />

150<br />

100<br />

50<br />

0<br />

Irradiated with<br />

no<br />

X-ray<br />

neutron<br />

combined<br />

radiation<br />

T=+20°C T=+80°C<br />

0 40 80 120 160 200 240 280 320 360<br />

Net annealing time [h]<br />

-70%<br />

Abbildung A.3: Ausheilung des Leckstromes für die verschieden bestrahlten Sensoren.

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