Radiation Hardness Studies of Monolithic Active Pixel Sensors ...
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A.1. ERGÄNZUNG LADUNGSSAMMLUNGSEFFIZIENZ 91<br />
Leakage current [fA]<br />
450<br />
400<br />
350<br />
300<br />
250<br />
200<br />
150<br />
100<br />
50<br />
0<br />
Irradiated with<br />
no<br />
X-ray<br />
neutron<br />
combined<br />
radiation<br />
T=+20°C T=+80°C<br />
0 40 80 120 160 200 240 280 320 360<br />
Net annealing time [h]<br />
-70%<br />
Abbildung A.3: Ausheilung des Leckstromes für die verschieden bestrahlten Sensoren.