Diode und Transistor

Zusatzinformationen:
Herstellung von Einkristallen und Dotierung:
Zonenschmelzverfahren:
Das kristalline Reinsilizium wir im Zonenschmelzverfahren weiter gereinigt
und zu großen Einkristallen umgeschmolzen. Dafür wir ein kristalliner
Siliziumstab durch eine Induktionsspule gezogen und durch
Wirbelstromheizung schichtweise geschmolzen. Der Kristall wächst an der
Grenzfläche fest-flüssig (Länge: 1 – 2 m, Durchmesser: 10 – 20 cm) und
gleichzeitig wandern die Verunreinigungen mit der Schmelzzone an das
Ende des Kristalls.
Dieser gezogene Einkristall wird in dünne Scheiben (-> Wafer)
geschnitten.
Dotierung:
Man kann entweder gleich beim Ziehen des Einkristalls die Fremdatome
dem geschmolzenen Silizium beimischen oder die fertigen
Siliziumscheiben mit dem Dotierstoff bedampfen.
Durch Beschuss mit Ionen des Zusatzstoffes in kleinen Beschleunigern ist
eine genaue Dosierung und Lokalisierung der Dotierung möglich.
Herstellung eines npn-Transistors mit Planartechnik:
Abbildung 11
Aus einem n-dotierten Siliziumkristall wird eine Scheibe geschnitten,
deren Oberfläche bei 1000°C oxidiert wird, wodurch sie zum Isolator wird.
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