Diode und Transistor

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Stromsteuerkennlinie eines Transistors zeigt die Abhängigkeit des Kollektorstroms vom Basisstrom: Schaltsymbole für Transistoren: Abbildung 9 Abbildung 10 8
Zusatzinformationen: Herstellung von Einkristallen und Dotierung: Zonenschmelzverfahren: Das kristalline Reinsilizium wir im Zonenschmelzverfahren weiter gereinigt und zu großen Einkristallen umgeschmolzen. Dafür wir ein kristalliner Siliziumstab durch eine Induktionsspule gezogen und durch Wirbelstromheizung schichtweise geschmolzen. Der Kristall wächst an der Grenzfläche fest-flüssig (Länge: 1 – 2 m, Durchmesser: 10 – 20 cm) und gleichzeitig wandern die Verunreinigungen mit der Schmelzzone an das Ende des Kristalls. Dieser gezogene Einkristall wird in dünne Scheiben (-> Wafer) geschnitten. Dotierung: Man kann entweder gleich beim Ziehen des Einkristalls die Fremdatome dem geschmolzenen Silizium beimischen oder die fertigen Siliziumscheiben mit dem Dotierstoff bedampfen. Durch Beschuss mit Ionen des Zusatzstoffes in kleinen Beschleunigern ist eine genaue Dosierung und Lokalisierung der Dotierung möglich. Herstellung eines npn-Transistors mit Planartechnik: Abbildung 11 Aus einem n-dotierten Siliziumkristall wird eine Scheibe geschnitten, deren Oberfläche bei 1000°C oxidiert wird, wodurch sie zum Isolator wird. 9
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Seite 13 und 14: Feldeffekttransistor: Abbildung 13
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Seite 29 und 30: Versuchsdurchführung: Die Kollekto
Seite 31 und 32: Versuchsdurchführung: Der Kollekto
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