Diode und Transistor

Man trägt nun die Stromstärke (I), die man mit dem Amperemeter (A)
misst, in Abhängigkeit von UD in ein Diagramm ein:
Transistor:
Abbildung 7
Ein Transistor besteht aus drei unterschiedlich dotierten Zonen. Beim npn-
Transistor befindet sich eine dünne p-Schicht (-> Basis) zwischen zwei n-
Schichten (-> Emitter und Kollektor).
Beim pnp-Transistor liegt eine n-Schicht zwischen zwei p-Schichten. Jede
Schicht trägt einen Kontakt.
Abbildung 8
Legt man nun eine Basisspannung (UEB) zwischen Emitter und Basis an, so
fließen im Emitter Elektronen in Richtung Basis und in der Basis Löcher in
Richtung Emitter. Ein großer Teil der Elektronen diffundiert zur
Sperrschicht der von Basis und Kollektor gebildeten Diode, da die Basis
sehr dünn ist. Im n-leitenden Bereich der Sperrschicht werden die
Elektronen von den unkompensierten positiven Donatorionen angesaugt
und können dann zur positiven Elektrode fließen.
Der vom Emitter zum Kollektor fließende Strom ist bis zu tausendmal
größer als der Basisstrom vom Emitter zur Basis.
Schaltet man aber die Basisspannung ab oder polt sie um, sinkt der
Kollektorstrom auf Null.
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