Diode und Transistor

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UCB in V UBE in V 1 3 Spannungsverstärkung: dU CB = __ dU BE 40
Quellenverzeichnis: “Theoretische Gr<strong>und</strong>lagen“ (S. 4 - 8), Zusatzinformationen (S. 9 - 13): PHYSIK 3 (Sexl, Kühnelt, Pflug, Stadler) S. 91 - 101 Microsoft Encarta Professional 2002 Praktikum der Physik (Walcher) S. 281 WinFunktion 2000 Physik & Astronomie Versuche mit dem NTL-Baukasten: Experimente zur Schulphysik, Teilgebiet 8 (M. Bernhard, S. Jezik) Abbildungsnachweis: Abbildungen 3 – 5, 7 – 13, 16: PHYSIK 3 (Sexl, Kühnelt, Pflug, Stadler) S. 91 - 101 Abbildungen 1, 2: Microsoft Encarta Professional 2002 Abbildungen 6,14, 15, 17 – 28: Experimente zur Schulphysik, Teilgebiet 8 (M. Bernhard, S. Jezik) 41
Seite 1 und 2: Physikalisches Schulversuchspraktik
Seite 3 und 4: Lerninhalt: Halbleiter: reiner und
Seite 5 und 6: Abbildung 2 Als Beispiel für einen
Seite 7 und 8: Man trägt nun die Stromstärke (I)
Seite 9 und 10: Zusatzinformationen: Herstellung vo
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Seite 13 und 14: Feldeffekttransistor: Abbildung 13
Seite 15 und 16: Kennlinien von Halbleiterdioden Ver
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Seite 19 und 20: Einweggleichrichtung Verwendete Mat
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Seite 23 und 24: Versuchsdurchführung: Wir stecken
Seite 25 und 26: Basisstrom ermöglicht Kollektorstr
Seite 27 und 28: Basisschaltung (Stromverstärkung)
Seite 29 und 30: Versuchsdurchführung: Die Kollekto
Seite 31 und 32: Versuchsdurchführung: Der Kollekto
Seite 33 und 34: Zeitschalter Verwendete Materialien
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