Diode und Transistor

Versuchsdurchführung:
Wir messen die Kennlinien von Si- und Ge-Dioden. Dafür schalten wir die
Dioden zuerst in Durchlassrichtung, dann in Sperrrichtung und messen die
Stromstärke in Abhängigkeit von der Spannung.
Versuchsergebnis:
(1)
Zuerst nehmen wir die Siliziumdiode und einen Widerstand von 100 Ω. Wir
schalten die Dioden in Durchlassrichtung und messen die Stromstärke in
Abhängigkeit von der Spannung:
Spannung Stromstärke
in V in mA
0,1 0
0,2 0,3
0,3 1
0,4 3,5
0,5 7,5
0,6 18
0,7 35
Diese Werte tragen wir nun in ein Koordinatensystem ein:
Stromstärke in mA
40
35
30
25
20
15
10
5
0
Kennlinie einer Si-Diode
0 0,1 0,2 0,3 0,4 0,5 0,6 0,7 0,8
Spannung in V
16