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Photoelektron-Photoion-Koinzidenz- spektroskopie mit ...

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1.2. Komponenten des Aufbaus 13<br />

hν M / Γ M<br />

Φ / Φ Max [%]<br />

0 200 400 600 800 1000<br />

400<br />

300<br />

200<br />

100<br />

0<br />

100<br />

80<br />

60<br />

40<br />

20<br />

TGM 3 - G1<br />

Sept. 1994<br />

ES/AS [μm]<br />

Auflösung über Spalte<br />

hν M = 91.2 eV<br />

Fluß über Spalte<br />

TGM 3 - G1<br />

TGM 4 - G1<br />

April 1994<br />

0<br />

0 200 400 600 800 1000<br />

ES/AS [μm]<br />

TGM 4 - G1<br />

Φ / Φ Max [%]<br />

0 20 40 60 80 100<br />

Auflösung über Fluß<br />

bei Variation der Baffles<br />

ES/AS: 1000 μm fest<br />

je -22.5%<br />

TGM 3 - G1<br />

Auflösung über Fluß<br />

bei Variation der Spalte<br />

Baffles: je -10 % fest<br />

200 μm<br />

TGM 4 - G1<br />

Baffles zu<br />

400<br />

300<br />

200<br />

je -10%<br />

0 20 40 60 80 100 0<br />

Φ / Φ Max [%]<br />

1000 μm<br />

Spalte zu<br />

Abbildung 1.5: Oben links: Auflosungsvermogen von TGM 3 - G1 und TGM 4 - G1 in Abhangigkeit<br />

der Spaltbreiten, bestimmt <strong>mit</strong> der 3d ,1 ( 2 D 5=2)5p-Resonanz in Kr bei 91.2 eV. Unten<br />

links: Zugehoriger relativer Photonen u = Max. Max bezeichnet den Flu bei 1000 m<br />

Spalto nungen und Standardba eo nung (d. h. je ,10 %). Oben rechts: Auflosungsvermogen<br />

von TGM 3 - G1 in Abhangigkeit der Ba eo nung. Unten rechts: Auflosungsvermogen von<br />

TGM 4 - G1 in Abhangigkeit der Spalto nung.<br />

100<br />

0<br />

400<br />

300<br />

200<br />

100<br />

hν M / Γ M<br />

hν M / Γ M

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