20.07.2013 Aufrufe

Schaltnetzteile - HTL Wien 10

Schaltnetzteile - HTL Wien 10

Schaltnetzteile - HTL Wien 10

MEHR ANZEIGEN
WENIGER ANZEIGEN

Erfolgreiche ePaper selbst erstellen

Machen Sie aus Ihren PDF Publikationen ein blätterbares Flipbook mit unserer einzigartigen Google optimierten e-Paper Software.

Ust<br />

UDS<br />

U 1<br />

I1<br />

I2<br />

t1 T<br />

N1<br />

Ue+Ua( )<br />

N2<br />

-Ua N1<br />

N2<br />

Δ I2<br />

Ue<br />

Δ I1<br />

Auf die Primärseite umgerechneter Drosselstrom:<br />

IL I1 I2<br />

Δ IL t<br />

N2<br />

N1 I L = I1+I2<br />

N2<br />

N1<br />

Dimensionierung des Sperrwandlers:<br />

Abbildung 2.1.2: Spannungen und Ströme beim Sperrwandler<br />

Für die Primärspannung am Speichertransformator muß gelten, daß im stationärem<br />

U1<br />

Betrieb ihr Mittelwert gleich Null sein muß (andernfalls würde der Strom auf<br />

U1<br />

unermeßlich hohe Werte ansteigen). Daraus folgt: Ue ⋅ t1 = Ua ⋅ und:<br />

N1<br />

⋅ (T − t1)<br />

t1<br />

Ua = Ue ⋅ N2<br />

⋅<br />

N1 T − t1<br />

Man wählt das Übersetzungsverhältnis so, daß im Nennbetrieb die Aufmagnetisierzeit<br />

gleich der Abmagnetisierzeit (T − t1) ist. Daraus folgt für das Übersetzungsverhältnis:<br />

N1<br />

N2<br />

= Ue<br />

Ua<br />

Für die notwendigen Sperrspannungen für den Transistor und die Diode folgt daraus:<br />

N2<br />

Transistor: UDS = Ue + Ua ⋅ N1<br />

≈ 2Ue<br />

Diode: UR = Ua + Ue ⋅ N2<br />

≈ 2Ua<br />

N1<br />

N2<br />

Î2<br />

t<br />

t<br />

t<br />

t<br />

t<br />

Seite 11<br />

t1

Hurra! Ihre Datei wurde hochgeladen und ist bereit für die Veröffentlichung.

Erfolgreich gespeichert!

Leider ist etwas schief gelaufen!