Schaltnetzteile - HTL Wien 10
Schaltnetzteile - HTL Wien 10
Schaltnetzteile - HTL Wien 10
Erfolgreiche ePaper selbst erstellen
Machen Sie aus Ihren PDF Publikationen ein blätterbares Flipbook mit unserer einzigartigen Google optimierten e-Paper Software.
Ust<br />
UDS<br />
U 1<br />
I1<br />
I2<br />
t1 T<br />
N1<br />
Ue+Ua( )<br />
N2<br />
-Ua N1<br />
N2<br />
Δ I2<br />
Ue<br />
Δ I1<br />
Auf die Primärseite umgerechneter Drosselstrom:<br />
IL I1 I2<br />
Δ IL t<br />
N2<br />
N1 I L = I1+I2<br />
N2<br />
N1<br />
Dimensionierung des Sperrwandlers:<br />
Abbildung 2.1.2: Spannungen und Ströme beim Sperrwandler<br />
Für die Primärspannung am Speichertransformator muß gelten, daß im stationärem<br />
U1<br />
Betrieb ihr Mittelwert gleich Null sein muß (andernfalls würde der Strom auf<br />
U1<br />
unermeßlich hohe Werte ansteigen). Daraus folgt: Ue ⋅ t1 = Ua ⋅ und:<br />
N1<br />
⋅ (T − t1)<br />
t1<br />
Ua = Ue ⋅ N2<br />
⋅<br />
N1 T − t1<br />
Man wählt das Übersetzungsverhältnis so, daß im Nennbetrieb die Aufmagnetisierzeit<br />
gleich der Abmagnetisierzeit (T − t1) ist. Daraus folgt für das Übersetzungsverhältnis:<br />
N1<br />
N2<br />
= Ue<br />
Ua<br />
Für die notwendigen Sperrspannungen für den Transistor und die Diode folgt daraus:<br />
N2<br />
Transistor: UDS = Ue + Ua ⋅ N1<br />
≈ 2Ue<br />
Diode: UR = Ua + Ue ⋅ N2<br />
≈ 2Ua<br />
N1<br />
N2<br />
Î2<br />
t<br />
t<br />
t<br />
t<br />
t<br />
Seite 11<br />
t1