4.7 Streuung an einer Potentialbarriere
4.7 Streuung an einer Potentialbarriere
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das„untersteAtom”derSpitzedendomin<strong>an</strong>tenBeitragzumStromliefert(sieheAbbildung(4.10)).<br />
Abbildung4.10:SpitzedesRaster-Tunnel-Mikroskops.<br />
<strong>4.7</strong>.3 NiedrigePotential-Barriere(E > V0 > 0)<br />
oderPotential-Mulde(E > 0 > V0)<br />
WirbetrachtennundieFälle,indenendasTeilchenklassischnicht<strong>an</strong>der<br />
Barrierereflektiertwürde(R = 0; T = 1),alsodeninAbbildung(4.11)<br />
dargestelltenFall<strong>einer</strong>niedrigenPotential-Barriere,unddenFall<strong>einer</strong><br />
Potential-Mulde.Qu<strong>an</strong>tenmech<strong>an</strong>ischwirddieunshierinteressierende<br />
Abbildung4.11:EnergiegrößeralsPotential-Barriere.<br />
SituationebenfallsdurchdieGleichungen(4.49)und(4.50)beschrieben.<br />
Wegen E > V0sindnun κ, ρund λimaginär,undm<strong>an</strong>drücktdieGleichungenbesserüber<br />
|κ|und |ρ|aus.AusGl.(4.49)undGl.(4.50)wird<br />
wegen sinh 2 (i|κ|) = − sin 2 |κ|:<br />
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