29.06.2013 Aufrufe

1.8 Grundlagen der Digitaltechnik

1.8 Grundlagen der Digitaltechnik

1.8 Grundlagen der Digitaltechnik

MEHR ANZEIGEN
WENIGER ANZEIGEN

Sie wollen auch ein ePaper? Erhöhen Sie die Reichweite Ihrer Titel.

YUMPU macht aus Druck-PDFs automatisch weboptimierte ePaper, die Google liebt.

Informatik V, Kap. 8, WS 98/99<br />

Die Verbindungsmatrix enthält drei verschiedene Arten von Leitungen:<br />

Solche vom Typ "direct interconnect" erlauben eine direkte und schnelle Verbindung einer Logik-<br />

Zelle mit einer Nachbarzelle.<br />

Normale Verbindungen "general purpose interconnect" verlaufen in horizontaler und vertikaler<br />

Richtung zwischen den Zellen-Reihen. An Kreuzungspunkten sind Pass-Transistoren eingefügt,<br />

welche, wie<strong>der</strong> durch spezielle SRAM-Zellen gesteuert, wahlweise Leitungen des Netzes miteinan<strong>der</strong><br />

verbinden.<br />

Da diese Verbindungen mit relativ hoher Signallaufzeiten belastet sind, existieren zusätzlich schnelle<br />

"long lines". Diese durchziehen die gesamte Matrix und können nur jeweils ein Signal von einem<br />

Rand zum an<strong>der</strong>en transportieren.<br />

Die SRAM- basierte XILINX-Technologie hat als wesentlichen Vorteil die beliebige<br />

Programmierbarkeit, <strong>der</strong> Nachteil ist die Flüchtigkeit <strong>der</strong> Information. Nach jedem Abschalten <strong>der</strong><br />

Betriebsspannung muß, geladen von einem externen Speicher, eine neue Programmierung erfolgen.<br />

Bei den PGAs <strong>der</strong> Firma ACTEL werden statt <strong>der</strong> SRAM-Speicherzellen sogenannte "Antifuses"<br />

verwendet. Durch eine erhöhte Spannung werden Isolierschichten durchtrennt und damit<br />

Verbindungen erzeugt. Damit ist die Programmierung nicht mehr flüchtig, aber eine Neu-<br />

Programmierung ist nicht möglich.<br />

ACTEL verwendet je eine kombinatorische und eine sequentielle Grundzelle.<br />

Typ Program- Größe Ein- / Ausg. Sonstiges Verzögerung<br />

mierung prog. E / A<br />

Speicherbausteine<br />

DRAM flüchtig 16 Mbit 24 / 1- 22 /4/ - refresh notw. 50 - 100 ns<br />

SRAM flüchtig 4 MBit 19 / 8 / - 50 - 100 ns<br />

1 MBit 17 / 8 / - 10 - 50 ns<br />

EPROM löschbar 1 MBit 16 / 16 / -<br />

Programmierbare logische Fel<strong>der</strong><br />

PAL22L10 löschbar 160 Prod. T. 12 / 10 / -<br />

Altera löschbar 384 Prod. T. 16 / - / 48 48 prog. E/A Zellen 50 ns<br />

EP1800<br />

AMD löschbar 4*64 Prod. T. 6 / - / 64 4 univ. verbindbare 20 ns<br />

MACH 130 Blöcke pro Block<br />

programmierbare Logikbausteine<br />

Xilinx flüchtig 20 0000 äqu. - / - / 240 900 Funkt.-Blöcke 5-7,5 ns p. Block<br />

XC 4020 Gatter<br />

Actel irreversibel 8000 äqu. G. - / - / 140 1232 Logik- Mod. 10 ns pro Block<br />

Abb. 8. 75 Übersicht über programmierbare Logik-Bausteine<br />

Abb. 8.75 gibt den Status <strong>der</strong> verfügbaren Bausteine für programmierbare Logik (dazu kann man<br />

auch Speicher verwenden !) für ca. 1993 wie<strong>der</strong>.<br />

Für 1996 kann man jeweils eine Vervierfachung <strong>der</strong> möglichen Komplexität annehmen. Obwohl man<br />

in programmierbarer Logik für eine einziges 2-fach NAND (mit vier Transistoren in statischer<br />

CMOS-Logik) bis zu 103 Transistoren (bei Xilinx) benötigt, kann diese Technik eine große<br />

Akzeptanz beim Anwen<strong>der</strong> gefunden.<br />

Es ist zu erwarten, daß in naher Zukuft programmierbare Logik-Bausteine verfügbar sein werden,<br />

die zusätzlich Speicher und einen Prozessor-Kern beinhalten.<br />

49

Hurra! Ihre Datei wurde hochgeladen und ist bereit für die Veröffentlichung.

Erfolgreich gespeichert!

Leider ist etwas schief gelaufen!