1.8 Grundlagen der Digitaltechnik
1.8 Grundlagen der Digitaltechnik
1.8 Grundlagen der Digitaltechnik
Erfolgreiche ePaper selbst erstellen
Machen Sie aus Ihren PDF Publikationen ein blätterbares Flipbook mit unserer einzigartigen Google optimierten e-Paper Software.
Informatik V, Kap. 8, WS 98/99<br />
Entsprechend <strong>der</strong> zu realisierenden Schaltung werden diese Transistoren nun durch eine o<strong>der</strong><br />
mehrere Lagen metallischer Verdrahtung verbunden. Als individuelle Prozeßkosten für einen IC-<br />
Entwurf fallen deshalb nur die für die Metallisierung und ggf. die Isolierschicht zwischen den Metall-<br />
Lagen an.<br />
Gate-Arrays in CMOS- o<strong>der</strong> BICMOS-Technik sind heute mit Komplexitäten bis zu mehr als 100<br />
000 Transistoren kommerziell verfügbar.<br />
Kontaktloch<br />
Signalleitung (Metall)<br />
46<br />
VDD (Metall)<br />
p-Diffusion<br />
n-Diffusion<br />
GND (Metall)<br />
Abb. 8.71: Gate-Array-Struktur mit Metallisierung für ein 2-NAND- Gatter in CMOS-<br />
Technik<br />
Auf <strong>der</strong> Entwurfsseite bieten auch die Hersteller von Gate-Arrays Bibliotheken von logischen<br />
Bauelelementen an. Sie enthalten sowohl die Struktur als auch die Charakterisierung (logisch,<br />
zeitlich) des Verhaltens. Ein Gate-Array-Entwerfer muß also keineswegs seine ALU aus den<br />
vorgegebenen Transistoren "zusammenschrauben", das besorgt ein Entwurfssystem des Herstellers.<br />
Gate-Arrays werden heute auch in On-Chip-Kombination mit RAM-Speicher o<strong>der</strong> sogar Mikroprozessor-Kernen<br />
angeboten.<br />
Die Metallisierung von Gate-Arrays beim Halbleiter-Hersteller ist eine Prozedur von wenigen Tagen,<br />
während ein voller Fertigungsdurchlauf für ein IC Wochen bis (meistens) Monate dauern kann.<br />
Typisch für Gate-Arrays ist aber, daß sie bezüglich <strong>der</strong> Flächen-Ausnutzung beim Entwurf erheblich<br />
schlechter sind als Standardzellen- o<strong>der</strong> gar Full Custom-Entwürfe. Meistens können, bedingt durch<br />
hohen Aufwand für die Verdrahtung, nur ca. 70 bis 80% <strong>der</strong> Transistoren tatsächlich auch verwendet<br />
werden, danach ist <strong>der</strong> Platz für die Verbindungsleitungen erschöpft.<br />
In neueren Typen von Gate-Arrays mit mehreren Verdrahtungsebenen sind keine speziellen Kannäle<br />
für die Verdrahtung mehr vorgesehen, man spricht dann von "Sea of Gates"- o<strong>der</strong> "Forest of Gates"-<br />
Technologien.<br />
Auch für analoge Schaltungen sind ähnliche Ansätze mit "Transistor Arrays" versucht worden.<br />
Die Entwurfstechnologie <strong>der</strong> Gate-Arrays entspricht bis auf spezielle Werkzeuge für Plazierung und<br />
Verdrahtung <strong>der</strong> für die Standardzellen-Tecnologie. Häufig kann man beim Gate-Array-Hersteller<br />
eine simulierte Logik-Netzliste abgeben. Dieser besorgt dann alle speziellen Arbeiten <strong>der</strong> Logik-<br />
Optimierung und <strong>der</strong> Chip-Konstruktion.