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1.8 Grundlagen der Digitaltechnik

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Informatik V, Kap. 8, WS 98/99<br />

Entsprechend <strong>der</strong> zu realisierenden Schaltung werden diese Transistoren nun durch eine o<strong>der</strong><br />

mehrere Lagen metallischer Verdrahtung verbunden. Als individuelle Prozeßkosten für einen IC-<br />

Entwurf fallen deshalb nur die für die Metallisierung und ggf. die Isolierschicht zwischen den Metall-<br />

Lagen an.<br />

Gate-Arrays in CMOS- o<strong>der</strong> BICMOS-Technik sind heute mit Komplexitäten bis zu mehr als 100<br />

000 Transistoren kommerziell verfügbar.<br />

Kontaktloch<br />

Signalleitung (Metall)<br />

46<br />

VDD (Metall)<br />

p-Diffusion<br />

n-Diffusion<br />

GND (Metall)<br />

Abb. 8.71: Gate-Array-Struktur mit Metallisierung für ein 2-NAND- Gatter in CMOS-<br />

Technik<br />

Auf <strong>der</strong> Entwurfsseite bieten auch die Hersteller von Gate-Arrays Bibliotheken von logischen<br />

Bauelelementen an. Sie enthalten sowohl die Struktur als auch die Charakterisierung (logisch,<br />

zeitlich) des Verhaltens. Ein Gate-Array-Entwerfer muß also keineswegs seine ALU aus den<br />

vorgegebenen Transistoren "zusammenschrauben", das besorgt ein Entwurfssystem des Herstellers.<br />

Gate-Arrays werden heute auch in On-Chip-Kombination mit RAM-Speicher o<strong>der</strong> sogar Mikroprozessor-Kernen<br />

angeboten.<br />

Die Metallisierung von Gate-Arrays beim Halbleiter-Hersteller ist eine Prozedur von wenigen Tagen,<br />

während ein voller Fertigungsdurchlauf für ein IC Wochen bis (meistens) Monate dauern kann.<br />

Typisch für Gate-Arrays ist aber, daß sie bezüglich <strong>der</strong> Flächen-Ausnutzung beim Entwurf erheblich<br />

schlechter sind als Standardzellen- o<strong>der</strong> gar Full Custom-Entwürfe. Meistens können, bedingt durch<br />

hohen Aufwand für die Verdrahtung, nur ca. 70 bis 80% <strong>der</strong> Transistoren tatsächlich auch verwendet<br />

werden, danach ist <strong>der</strong> Platz für die Verbindungsleitungen erschöpft.<br />

In neueren Typen von Gate-Arrays mit mehreren Verdrahtungsebenen sind keine speziellen Kannäle<br />

für die Verdrahtung mehr vorgesehen, man spricht dann von "Sea of Gates"- o<strong>der</strong> "Forest of Gates"-<br />

Technologien.<br />

Auch für analoge Schaltungen sind ähnliche Ansätze mit "Transistor Arrays" versucht worden.<br />

Die Entwurfstechnologie <strong>der</strong> Gate-Arrays entspricht bis auf spezielle Werkzeuge für Plazierung und<br />

Verdrahtung <strong>der</strong> für die Standardzellen-Tecnologie. Häufig kann man beim Gate-Array-Hersteller<br />

eine simulierte Logik-Netzliste abgeben. Dieser besorgt dann alle speziellen Arbeiten <strong>der</strong> Logik-<br />

Optimierung und <strong>der</strong> Chip-Konstruktion.

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